日本東(dong) 京大學研製出了鍵合在矽基底上的1.3m量子點(QD)激光二極管(發表在《應用物理快報》2013年第六期，作者Katsuaki Tanabe等)。光子電路通常以矽為(wei) 基底，但目前的光源通常采用化合物半導體(ti) 研製。特別是，研究人員正在尋求大溫度範圍下穩定工作的器件，以實現更高的工作溫度。東(dong) 京大學的器件是采用矽摻雜部分P型砷化镓(GaAs)壁壘結合自行聚合砷化銦(InAs)形成量子點，以構建激光二極管的有源發光區域，再將這些器件鍵合到矽基底上。

　　有源區域由8層P-GaAs壁壘中自行聚合的InAs 量子點結構組成。每層的點密度為(wei) 6×1010/cm2。試驗中對直接和金屬介導兩(liang) 種鍵合工藝進行了測試，兩(liang) 種工藝研製的器件均可在超過100℃的條件下發射1.3m(光通信的O波段)的激光。這些結果證實了，采用晶圓鍵合工藝研製的矽上III-V族量子點激光器有望在高密度光子集成電路中實現溫度穩定的運行。