近日，中科院半導體(ti) 所超晶格國家重點實驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團隊中，與(yu) 美國勞倫(lun) 斯伯克利國家實驗室（LBNL）汪林望博士研究組合作，在二維半導體(ti) 異質結的基礎研究中取得新進展。相關(guan) 成果發表在9月30日美國化學學會(hui) 主辦的《納米快報》（Nano Letters）上。

　　中科院半導體(ti) 所超晶格國家重點實驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團隊中，與(yu) 美國勞倫(lun) 斯伯克利國家實驗室（LBNL）汪林望博士研究組合作，在二維半導體(ti) 異質結的基礎研究中取得新進展。相關(guan) 成果發表在9月30日美國化學學會(hui) 主辦的《納米快報》（Nano Letters）上。

　　半導體(ti) 異質結是由不同半導體(ti) 材料接觸形成的結構。由於(yu) 構成異質結的兩(liang) 種半導體(ti) 材料擁有不同的禁帶寬度、電子親(qin) 和能、介電常數、吸收係數等物理參數，異質結將表現出許多不同於(yu) 單一半導體(ti) 材料的性質。在傳(chuan) 統半導體(ti) 領域，以半導體(ti) 異質結為(wei) 核心製作的電子器件，如光電探測器、發光二極管、太陽能電池、激光器等，往往擁有比單一半導體(ti) 材料製作的同類器件更加優(you) 越的性能。