製造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質在不斷提升。不僅(jin) 是目前主流的直徑為(wei) 4英寸（100mm）的產(chan) 品，6英寸（150mm）產(chan) 品的結晶缺陷也越來越少。

美國Cree在SiC基片市場上占有較高份額，從(cong) 該公司在SiC國際學會(hui) “ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日於(yu) 日本宮崎縣舉(ju) 行）上發表的內(nei) 容來看，截至2013年，功率元件用6英寸產(chan) 品的微管密度在1個(ge) /cm2以下，平均水平為(wei) 0.5個(ge) /cm2左右，較好時可達到0.01個(ge) /cm2。據估算，采用這種高品質6英寸基片製作10mm見方的功率元件時，合格率高達98.7％。

科銳以直徑為(wei) 4英寸的基片為(wei) 例，展示了其基底麵位錯（BPD）的密度。據科銳介紹，4英寸基片的基底麵位錯密度為(wei) 56個(ge) /cm2。在基片內(nei) 17％的範圍裏，基底麵位錯為(wei) 0個(ge) ，在78％的範圍裏不到5個(ge) 。

據悉，在基底麵位錯密度為(wei) 56個(ge) /cm2的4英寸基片上層疊厚度為(wei) 60μm的外延層時，基底麵位錯的密度會(hui) 降至2個(ge) /cm2。

另外，與(yu) 原來相比，還可以減少功率元件用SiC基片的貫通螺旋位錯（TSD）密度。以前裸基片和外延基片（層疊外延層的基片）的貫通螺旋位錯密度分別為(wei) 955個(ge) /cm2和837個(ge) /cm2，現在分降至447個(ge) /cm2和429個(ge) /cm2，減少了約一半。

不僅(jin) 是功率元件用SiC基片，科銳還在從(cong) 事LED用和高頻元件用SiC基片業(ye) 務。LED用基片方麵，6英寸產(chan) 品的結晶缺陷密度在2010年為(wei) 8個(ge) /cm2，到2013年已經低於(yu) 2個(ge) /cm2。

高頻元件用基片方麵，6英寸產(chan) 品的微管密度目前為(wei) 0.14個(ge) /cm2。這個(ge) 水平在製作7mm見方的高頻元件時可實現96.3％的成品率。