上海藍光經過多年的研發攻關(guan) ，近日在介質複合襯底上取得重大突破。通過緩衝(chong) 層與(yu) 介質襯底的組合技術，各項參數達到或超過目前最優(you) 的PSS藍寶石襯底方案，完全可以取代目前昂貴的藍寶石PSS襯底方案，並且可以突破現有的PSS襯底及兩(liang) 步生長法兩(liang) 項重大基礎專(zhuan) 利的封鎖。

從(cong) 2006年開始，日本日亞(ya) 化學(Nichia)、豐(feng) 田合成(Toyoda Gosei)、美國Cree公司、飛利浦(Philips Lumileds)和德國的歐司朗(Osram)五大巨頭及韓國的三星、LG，台灣的晶電、億(yi) 光等企業(ye) 之間的專(zhuan) 利訴訟持續不斷，如日亞(ya) 與(yu) 億(yi) 光的專(zhuan) 利訴訟自2006年至今未停止。同時他們(men) 之間又通過專(zhuan) 利授權和交叉授權來進行來形成團體(ti) 優(you) 勢，對後續進入者形成了更高的門檻。這其中除2008年2月和8月兩(liang) 次“337調查”中涉及大陸企業(ye) ，其他訴訟中暫未涉及大陸企業(ye) 。

隨著大陸產(chan) 能的急劇擴張和產(chan) 品競爭(zheng) 力的不斷增強，針對大陸企業(ye) 的專(zhuan) 利訴訟一觸即發，雖然國內(nei) 部分企業(ye) 通過收購或入股國外或台灣企業(ye) ，但其實並未掌握起決(jue) 定作用的幾個(ge) 核心基礎專(zhuan) 利，對現有主流產(chan) 品的專(zhuan) 利保護相當脆弱。PSS襯底專(zhuan) 利及兩(liang) 步生長法專(zhuan) 利都是目前LED專(zhuan) 利中非常重要的基礎專(zhuan) 利，掌握在日亞(ya) 等國際大廠中。目前國內(nei) 的MOCVD保有量已經達到全世界40%以上，但所有的GaN基LED都用到兩(liang) 步生長法，所有的白光LED全部用到PSS襯底，即國內(nei) 的LED芯片都存在專(zhuan) 利侵權的風險。

該項技術的突破，將推動國內(nei) LED外延芯片原始創新技術及產(chan) 業(ye) 的健康發展，極有可能改寫(xie) 目前國際LED芯片行業(ye) 的競爭(zheng) 格局。