英國利茲(zi) 大學的研究人員開發出了世界上功率最大的太赫茲(zi) 激光器芯片。工程與(yu) 技術學院電子快報上報道利茲(zi) 團隊研製的量子級聯太赫茲(zi) 激光器的輸出功率超過1W。新記錄比去年維也納團隊的記錄高出一倍以上。

    太赫茲(zi) 波具有廣泛的潛在應用，包括檢測藥品、化學特征及爆炸物的遙感，以及人體(ti) 內(nei) 非侵入性癌症檢測。然而，對科學家和工程師們(men) 的主要挑戰之一是使激光器功率和緊湊結構能夠滿足之用要求。

     電子與(yu) 電氣工程學院太赫茲(zi) 電子專(zhuan) 家埃德蒙林菲爾德教授指出，即使可以構建一個(ge) 能夠產(chan) 生大功率太赫茲(zi) 輻射的大型儀(yi) 器，但其應用是非常有限的，我們(men) 需要的太赫茲(zi) 激光器不僅(jin) 能夠提供高功率光源，而且還要實現便攜式和低成本。利茲(zi) 團隊研製的太赫茲(zi) 量子級聯激光器的尺寸隻有幾個(ge) 平方毫米。

    林菲爾德教授說，這些激光器的工作過程非常微妙，不同的半導體(ti) 材料，如砷化镓層建立了一個(ge) 原子單層。我們(men) 精確地控製每一獨立層的厚度和組成，構建半導體(ti) 材料層數在1000到2000之間。我們(men) 突破新型激光器功率記錄要歸功於(yu) 我們(men) 具有的利茲(zi) 專(zhuan) 業(ye) 知識製造這些層狀半導體(ti) 材料，以及合理設計這些材料開發出高功率激光器件的能力。這項工作由工程和物理科學研究委員會(hui) （EPSRC）資助。