西安炬光科技有限公司發明專(zhuan) 利“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”於(yu) 2014年1月28日正式獲得美國專(zhuan) 利商標局授權，專(zhuan) 利號為(wei) US 8638827 B2，在獲得美國專(zhuan) 利授權的同時，炬光科技的該專(zhuan) 利也在歐盟、日本等國家或地區進入公開階段。

    該發明專(zhuan) 利提出了一種單發射腔高功率半導體(ti) 激光器結構設計方法，是炬光科技自主研發的F-mount(○)(R)半導體(ti) 激光器係列產(chan) 品的核心技術，該係列產(chan) 品使用無銦化技術，具有高功率，高可靠性和客戶使用方便等優(you) 點，該係列產(chan) 品已經廣泛應用於(yu) 固體(ti) 激光泵浦、激光顯示、激光測距、激光夜視等多個(ge) 領域。

“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”獲美國專(zhuan) 利授權

     炬光科技成立以來，始終堅持自主創新，大力投入研發，攻克了很多關(guan) 鍵技術，取得了很多創新成果，過去5年已累計申請專(zhuan) 利176項，77項已授權（其中13項發明專(zhuan) 利）並主導編寫(xie) 兩(liang) 項半導體(ti) 激光器國家標準。此次炬光科技發明專(zhuan) 利獲得美國授權，是公司創新成果得到認可和公司知識產(chan) 權保護的體(ti) 現，對於(yu) 公司構築核心技術專(zhuan) 利保護網、提升國際市場品牌形象和競爭(zheng) 力具有重要的意義(yi) ，同時也為(wei) 公司開拓海外市場過程中抵禦知識產(chan) 權風險提供有力的保障。