中國科學院上海光學精密機械研究所高密度光存儲(chu) 實驗室魏勁鬆研究小組日前首次利用硫係薄膜實現高分辨率的灰度圖形光刻，該研究小組在幹福熹院士和吳誼群研究員的帶領下長期從(cong) 事非線性超分辨納米光學與(yu) 光子學研究以及微納結構光刻構造與(yu) 應用開發。

　　該項研究首次發現利用激光直寫(xie) 在硫係薄膜形成表麵浮雕結構，通過精確控製激光脈衝(chong) 能量可以得到不同高度和尺寸的浮雕結構，不同高度和尺寸的浮雕結構產(chan) 生不同的反射（透射）光譜，利用該效應形成灰度光刻，並成功在Sb2Te3薄膜上刻寫(xie) 出連續調灰度圖像。

　　Simon Pleasants博士評論指出：“硫係薄膜作為(wei) 相變材料在光存儲(chu) ，半導體(ti) 存儲(chu) 中具有廣泛的應用，這些應用基於(yu) 硫係薄膜的非晶態和晶態所具有的不同光學特性和電學特性。現在，利用硫係薄膜的液態、氣態、晶態和非晶態四種狀態，演示了使用硫係相變薄膜作為(wei) 灰度光刻材料製備灰度圖形。”

　　該研究通過激光直寫(xie) 硫係相變材料形成表麵浮雕結構，為(wei) 複雜灰度圖案的製備提供了新的解決(jue) 辦法，這與(yu) 當前的曝光成像技術、電子束光刻、聚焦離子束光刻技術不同，是一種新穎簡單又低成本的製造工藝。凸起的浮雕結構展示的光學性能在高分辨率的微納圖像存儲(chu) ，微藝術品加工和灰度掩膜製備等許多方麵有潛在的應用價(jia) 值。

　　該項研究得到了國家自然科學基金、中國科學院科研裝備研製計劃和上海市科委基礎研究重點計劃的支持。