ROFIN-BAASEL Lasertech(羅芬)推出新款升級版“雙線晶矽”(Dual Line c-Si)激光處理係統，可在新一代PERC太陽能電池設計的量產(chan) 中改善產(chan) 能、降低成本。PERC和選擇性發射機工藝可在晶矽太陽能電池上實現高達1%的絕對效率提升，但該技術需要對批量生產(chan) 進行遷移並犧牲部分產(chan) 量作為(wei) 成本。

伏創新聯盟(Photovoltaics Innovation Alliance)旗下的FutureFab項目中參與(yu) 短波和短脈衝(chong) 激光設備的研發，該類型的設備是減少背接觸孔形成過程中出現的次表層損害、優(you) 化背表麵鈍化流程。相關(guan) 研究顯示，複雜的超短飛秒和皮秒激光與(yu) 納秒激光脈衝(chong) 在介電層激光刻蝕過程後所形成的表麵結構完全不同。然而，在BSF(背表麵場)形成之後，相關(guan) 研究顯示，使用納秒綠光激光脈衝(chong) 進行的背表麵鈍化開槽而製造出的高效太陽能電池，與(yu) 使用紫外皮秒脈衝(chong) 工藝具有相同的性能值水平。對於(yu) 工藝流程優(you) 化來說較為(wei) 重要的一點是使用強度為(wei) 五倍於(yu) 上文提及的納米激光源的工業(ye) 激光的能力，從(cong) 而大幅降低對每片矽片進行激光處置的流程周期，並改善總體(ti) 矽片吞吐量，這對於(yu) 量產(chan) 應用來說十分重要。

本產(chan) 品可應用於(yu) PERC電池的激光刻蝕流程中。Dual Line c-Si激光係統現已搭載了高效SHG納秒激光源，該激光源專(zhuan) 為(wei) 在不增加激光損傷(shang) 的情況下進行大型點直徑的製造而配置了專(zhuan) 門光束模態。這一正在申請專(zhuan) 利的工藝流程可在鈍化層進行點陣開槽，從(cong) 而將掃描速度提高至20m/s以上。憑借激光可是流程周期的大幅縮短，並從(cong) 而實現生產(chan) 成本的降低，該產(chan) 品對於(yu) 使用點狀結構設計的PERC電池來說是一項具有重大意義(yi) 的突破。Dual Line c-Si激光係統同時還具有“飛行加工”(on the fly)工藝，這是一套新係統，可在事實上減少矽片在激光處置工藝周期間的處置與(yu) 傳(chuan) 輸時間，從(cong) 而憑借高達每小時3600片的高速工藝改善生產(chan) 力。