東(dong) 芝大舉(ju) 出擊白色LED業(ye) 務。將在2016年之前，把白色LED的產(chan) 量提高至月產(chan) 數億(yi) 個(ge) ，為(wei) 目前的約10倍。為(wei) 實現這一增產(chan) 計劃，東(dong) 芝預定投資“數百億(yi) 日元（300億(yi) ～500億(yi) 日元）（人民幣約18.04億(yi) 元-30.07億(yi) 元）”，在日本石川縣的加賀東(dong) 芝電子擴充生產(chan) 設備。在LED業(ye) 界，東(dong) 芝是2012年開始量產(chan) 白色LED的“新玩家”。該公司的目標是通過此次擴大生產(chan) 規模來提高市場份額。

用矽基板來降低成本

東(dong) 芝的白色LED雖然采用藍色LED芯片與(yu) 熒光體(ti) 組合的普通構成，但其藍色LED芯片頗具特點。藍色LED芯片一般通過在藍寶石基板上層積GaN類半導體(ti) 來製造。而東(dong) 芝為(wei) 了降低成本，采用在矽基板上形成GaN類半導體(ti) 的技術。該技術通常稱為(wei) “GaN on Si”。東(dong) 芝在形成GaN結晶後，去除吸收光的矽基板，作為(wei) 藍色LED芯片來使用。

東(dong) 芝采用GaN on Si技術是因為(wei) 矽基板比藍寶石基板容易增大口徑，更容易提高生產(chan) 效率。用於(yu) 製造藍色LED的藍寶石基板，其口徑最大也不過150mm（6英寸）。而矽基板則可使用口徑為(wei) 200mm（8英寸）的產(chan) 品。東(dong) 芝已開始利用口徑為(wei) 8英寸的矽基板量產(chan) 藍色LED芯片。

矽基板產(chan) 品雖然在成本方麵具有優(you) 勢，但與(yu) 藍寶石相比，矽與(yu) GaN類半導體(ti) 之間的晶格常數差及膨脹係數差較大，不容易獲得高品質的GaN類半導體(ti) 結晶。使用GaN on Si技術時，能夠減輕矽與(yu) GaN類半導體(ti) 不匹配問題的緩衝(chong) 層不可或缺。於(yu) 是，為(wei) 了實現特性出色的緩衝(chong) 層，東(dong) 芝與(yu) 美國普瑞光電（Bridgelux）展開合作，並從(cong) 2012年開始量產(chan) 白色LED。2013年4月，東(dong) 芝收購了普瑞光電的LED開發部門。

除LED外，東(dong) 芝還打算將GaN on Si技術用於(yu) 功率元件。該公司雖然在GaN功率元件方麵未推出產(chan) 品，但一直在做相關(guan) 研發。

因此，加賀東(dong) 芝電子擴充生產(chan) 生設備很可能是為(wei) 量產(chan) GaN功率元件做準備。加賀東(dong) 芝電子原本就是矽功率MOSFET及IGBT的生產(chan) 基地，擁有與(yu) 功率元件相關(guan) 的經驗。

東(dong) 芝將來量產(chan) GaN功率元件時，其優(you) 勢就在於(yu) 可使用8英寸基板。目前涉足GaN功率元件的企業(ye) 使用口徑最大也不過為(wei) 6英寸的矽基板。東(dong) 芝認為(wei) ，通過基板增大為(wei) 8英寸，不僅(jin) 可提高生產(chan) 效率，而且在GaN功率元件領域還可比其他競爭(zheng) 公司更具成本優(you) 勢。