日本福田結晶技術研究所成功試製出了口徑為(wei) 50mm（2英寸）的ScAlMgO4（SCAM）晶體(ti) 。設想用於(yu) 藍色LED元件及藍紫色半導體(ti) 激光器等GaN類發光元件的基板。與(yu) 製造藍色LED元件的基板大多使用的藍寶石相比，SCAM更適合減少GaN類半導體(ti) 的結晶缺陷，因此有望提高發光元件的亮度。據該研究所介紹，日本東(dong) 北大學金屬材料研究所鬆岡(gang) 隆誌教授的研究小組利用試製品層疊GaN類半導體(ti) 設計了LED，證實了該材料的有用性。

SCAM的特點是與(yu) GaN的晶格失配度僅(jin) 1.8%，不容易產(chan) 生晶格位錯這種結晶缺陷。雖然以前業(ye) 內(nei) 認為(wei) 很難製作SCAM晶體(ti) ，但福田結晶技術研究所采用CZ法試製成功了2英寸的高品質SCAM晶體(ti) 。據該研究所介紹，通過改善晶體(ti) 生長的條件和晶體(ti) 生長爐的結構，提高了結晶品質。該研究所劈開試製出的SCAM晶體(ti) ，利用X射線衍射法評估了其C麵，結果發現其半幅值為(wei) 12.9秒，結晶品質跟Si的完全結晶相當。

另外，該研究所不用切割和研磨加工工藝，而是利用SCAM晶體(ti) 塊通過劈開加工做成了晶圓。此舉(ju) 可降低晶圓的成本。利用有機金屬化學氣相沉積法使GaN薄膜在1040℃下垂直於(yu) SCAM晶體(ti) 的劈開麵生長，結果獲得了鏡麵的低位錯晶體(ti) 。這也是一大成果。

福田結晶技術研究所今後將設法繼續增大SCAM晶體(ti) 的口徑，還將對其進行商業(ye) 化運作。福田結晶技術研究所將於(yu) 2015年春季開始銷售2英寸的SCAM基板。