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晶電強攻紫外LED 預估年產值逾7000萬元

星之球激光 來源:LEDinside2014-09-25 我要評論(0 )   

日前,晶元光電聯合台灣儀(yi) 科中心,以及中央大學薄膜技術中心,將先進材料石墨烯應用於(yu) UV-LED的製造技術,預期可提升UV-LED製造技術水平,達到與(yu) 美、日大廠並駕齊驅的境...

 

       日前,晶元光電聯合台灣儀(yi) 科中心,以及中央大學薄膜技術中心,將先進材料石墨烯應用於(yu) UV-LED的製造技術,預期可提升UV-LED製造技術水平,達到與(yu) 美、日大廠並駕齊驅的境界,推估年產(chan) 值可逾3.6億(yi) 元新台幣(折合人民幣約7307萬(wan) 元)。

       UV-LED可應用於(yu) 農(nong) 業(ye) 、紙鈔識別、樹脂硬化、特殊生醫等領域,市場前景看好,但是目前高功率UV-LED均使用氧化銦錫(ITO)做為(wei) 透明導電膜,會(hui) 發生散熱不良與(yu) 電流分布不均等問題,影響其發光效率。

       儀(yi) 科中心聯合晶電及中央大學,取得科技部中部科學工業(ye) 園區管理局高科技設備前瞻技術發展計劃支持,共同執行“開發電漿輔助高溫原子層沉積係統應用於(yu) UV-LED”計劃,以更適合LED使用的透明電極材料石墨烯(graphene)取代氧化銦錫,希望能夠克服UV-LED發光效率降低的問題。

       此研究的關(guan) 鍵技術有二,一是要讓低溫製程 (約600℃)的石墨烯可以直接在白金薄膜上生成,以製作電極。中央大學薄膜技術中心李正中教授、郭倩丞助理教授團隊負責開發石墨烯低溫製程,儀(yi) 科中心則負責讓石墨烯直接在白金薄膜上生成 (此即“電漿輔助高溫原子層沉積係統”)。

       第二項關(guan) 鍵技術是讓此電極可與(yu) LED的發光層完美結合,這部分由儀(yi) 科中心和晶元光電共同研發。

       這項合作初期將於(yu) 晶光廠內(nei) 進行測試與(yu) 驗證,待技術成熟後,將委托儀(yi) 科中心與(yu) 中央大學薄膜技術中心技術轉移於(yu) 設備廠商,進行相關(guan) 設備製造。

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