GaN基藍光LED的發明被譽為(wei) “愛迪生之後的第二次照明革命”。赤崎勇、天野浩與(yu) 中村修二因“發明高效藍光LED，帶來了節能明亮的白色光源”共同獲得2014年諾貝爾物理學獎。利用藍光LED和熒光粉合成白光的LED燈效率已達到熒光燈的2倍，已經廣泛應用於(yu) 液晶顯示背光照明，正向家庭和辦公照明領域滲透，但還存在價(jia) 格偏高的問題。傳(chuan) 統GaN基藍光LED一般工作電流密度為(wei) 20A/cm2，提高LED的工作電流密度，可以在單位芯片麵積上輸出更多的光，從(cong) 而可以降低LED燈的成本，並使得LED適合應用於(yu) 汽車大燈和投影機等需要高亮光源的場合。但是，藍光LED在大電流密度工作時存在的效率下降問題，即Efficiency Droop，阻礙了其向大功率、高亮照明領域的發展。近年來，國內(nei) 外很多研究人員對引起效率下降的原因進行了研究，試圖解決(jue) 藍光LED量子效率隨工作電流密度增加而大幅下降的問題。

　　中國科學院蘇州納米技術與(yu) 納米仿生研究所自建所以來就開展了GaN基藍光LED的研究工作，並在2010年實現了產(chan) 業(ye) 化。最近，蘇州納米所納米器件部劉建平團隊又在改善藍光LED效率下降的問題上取得了重要進展。通過采用新型藍光LED有源區結構，研究人員在平片藍寶石襯底上實現了超低效率下降的藍光LED。研究成果發表在Applied Physics Letters (105， 173510 (2014)。在國際半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 界具有廣泛影響的知名雜誌Semiconductor Today對此研究結果進行了專(zhuan) 題報道。

　　            圖1 高效率藍光LED結構示意圖

　　研究人員所設計的LED結構如圖1所示，該結構中多量子阱(MQWs)有源區的量子壘(QBs)使用InGaN材料代替傳(chuan) 統藍光LED中使用較多的GaN材料，並且InGaN量子壘中的In摩爾組分是變化的，從(cong) P型層到N型層的方向階梯式降低(InGaN-SC QB)，即量子壘層的勢壘從(cong) P型層到N型層的方向階梯式降低。所設計的有源區結構能降低空穴在有源區擴散的勢壘，從(cong) 而使空穴在多量子阱中分布更均勻。而他們(men) 原來的研究發現(Appl. Phys. Lett. 93，021102 (2008)，傳(chuan) 統GaN量子壘(GaN QB)LED中大部分空穴分布在靠近P型層的1-2個(ge) 量子阱中，造成在大電流密度注入下量子阱中載流子密度很高，從(cong) 而導致LED效率下降。

　　        圖2 不同電流密度下LED光功率和EQE

　　圖2給出了在平片藍寶石襯底上製作的InGaN-SC-QB LED芯片在電注入下輸出光功率和外量子效率(EQE)與(yu) 傳(chuan) 統GaN-QB LED的比較。在200A/cm2的電流密度下，傳(chuan) 統GaN-QB LED的外量子效率下降百分比為(wei) 28.4%，而InGaN-SC-QB LED外量子效率下降百分比僅(jin) 有3.3%，對應地，InGaN-SC-QB LED的輸出光功率比傳(chuan) 統GaN-QB LED高了47%。這表明蘇州納米所研製的新型InGaN-SC-QB LED工作可以在200A/cm2甚至更高的電流密度下，其比傳(chuan) 統LED工作電流密度增加了一個(ge) 數量級。

　　該團隊還對新型InGaN-SC-QB LED低效率下降的物理機製做了實驗研究。所采用的方法被稱之為(wei) 檢測阱方法(monitor well method)，即將藍光多量子中的一個(ge) 阱替換為(wei) 發光波長為(wei) 480nm的長波長量子阱，用以估計該阱中的載流子密度與(yu) 所處位置的關(guan) 係。如圖3給出了在200A/cm2電注入下，InGaN-SC-QB LED與(yu) 傳(chuan) 統GaN-QB LED中檢測阱的發光強度。該結果顯示在傳(chuan) 統GaN-QB LED中量子阱的發光強度從(cong) 靠近P型的量子阱到靠近N型的量子阱近似指數下降，最靠近P型的量子阱的發光強度是最靠近N型的量子阱的發光強度的4.5倍，這也說明空穴的高度不均勻分布。而在InGaN-SC-QB LED中，發光強度的最大差別隻有1.7倍，即第4個(ge) 阱和第一個(ge) 阱的差別。這個(ge) 結果強有力地證實了空穴分布的改善，也揭示了InGaN-SC-QB LED中量子效率基本不下降的物理機製。

　　         圖3 兩(liang) 種LED結構中檢測阱的發光強度與(yu) 位置的關(guan) 係