日前，諾貝爾獎紀念演講在瑞典斯德哥爾摩大學舉(ju) 行，在獲得物理學獎的3人中，中村修二最後登台。他在演講中回顧了藍色LED的研究過程，強調了在高亮度化中不可缺少的InGaN的重要性。此外，他還介紹了目前重點推進的研究——使用激光器的照明。

　　在演講中，中村說他“在基於(yu) GaN的藍色LED領域是新人”，但他獲得的成果已趕上並超越了赤崎與(yu) 天野的研究小組率先得出的各種數據。其原動力就是“雙流MOCVD”。

　　InGaN不可或缺

　　中村使用雙流MOCVD裝置實現了基於(yu) InGaN的雙異質結結構，實現了藍色LED的高亮度化，從(cong) 而推動了實用化進程。

　　以前業(ye) 內(nei) 普遍認為(wei) ，不將GaN晶體(ti) 內(nei) 被稱為(wei) “位錯”的晶體(ti) 缺陷減至103個(ge) /cm2，就不會(hui) 發出明亮的光，但使用InGaN後，即使這一缺陷多達109個(ge) /cm2，也能實現高亮度發光。正是InGaN的這種特性推動了藍色LED及其之後的藍紫色半導體(ti) 激光器的實現。

　　那麽(me) ，為(wei) 何InGaN在晶體(ti) 缺陷多的情況下仍可發光呢？在介紹其原理時，中村引用日本東(dong) 北大學教授秩父重英的研究成果稱，“與(yu) In的局域化效應有關(guan) ”。

　　激光器將取代LED

　　中村在回顧藍色LED的研究後，介紹了目前正在著力研究的利用半導體(ti) 激光器的照明。藍色LED存在“光效下降”問題，越是高亮度，就越難提高效率。而激光器不存在這一問題，“與(yu) LED照明相比，激光照明可實現非常高的效率”。因此中村預計，激光照明將來會(hui) 取代LED照明。

　　最後，中村特意抽出時間發表了致謝，感謝日亞(ya) 化學工業(ye) 創始人、同意開發藍色LED並為(wei) 此提供支持的小川信雄。並且，中村還向延續小川信雄足跡的現任社長小川英治，以及包括當時的部下在內(nei) 的日亞(ya) 化學工業(ye) 的全體(ti) 員工表達了謝意。另外，中村還向加利福尼亞(ya) 大學聖塔芭芭拉分校（UCSB）的同事們(men) 表示了謝意。