激光陶瓷出 現之前，大多數晶體激光基質材料都隻能用晶體生長法（如Czochralski法）生長。這種晶體生長技術依靠熔化材料並利用籽晶使熔融材料在冷卻過程中 產生結晶。Czochralski法是生產Nd:YAG最常用的商品化生長技術，是從銥坩堝內的熔融液體中利用提拉籽晶生長晶體。在晶體生長過程中，必須 保持溫度在YAG熔化溫度（1960℃）以上。
生長晶體一般需要2周或者更長的時間。在晶體生長期間，坩堝雜質可能會進入到熔體中，然後進入晶體。若用Czochralski晶體生長法製備直徑大於 6in的單晶毛坯，並且要求沒有過大應力和結晶斷口，則要攻克許多技術難關。例如，在Nd:YAG晶體生長過程中產生一個貫穿毛坯晶體中心的高應力核心區 域。毛坯中心的這種殘餘應力會產生不希望出現的波前畸變，因此限製了晶體的尺寸。
陶瓷燒結法比Czochralski晶體生長法有很多優點。首先是將高純度YAG納米粉末形成所要求的形狀，然後在真空中燒結成陶瓷，整個過程隻需 24h。此外，陶瓷產品的尺寸隻受生產設備的限製。陶瓷所具有的優良特性類似於激光玻璃， 而陶瓷的導熱率和玻璃相比，有明顯的增加，且有更強的耐熱損傷性能。目前獲得的這種具有高導熱率和優質光學質量的大激光增益介質，預期會對高平均功率激光 係統以及對未來高能存儲激光係統產生重要的影響。與熔液生長技術相比，陶瓷燒結技術能保持更高的摻雜濃度，這在微芯片激光器應用方麵是非常重要的。晶粒尺 寸小能使高濃度釹摻雜所產生的應力，以短距離在晶粒邊界處減輕。此外，在母體基質材料中摻雜物質的濃度在最終的陶瓷成品中保持不變，這一點優於 Czochralski法。這是因為在Czochralski晶體生長中，較多的摻雜物質的離子通常被阻擋滯留在晶體。
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