自動駕駛汽車正在成為(wei) 現實，這種應用通過使用許多高性能的智能傳(chuan) 感器來實現。數字和微控製器（MCU）領域的技術進步，使我們(men) 可以為(wei) 高級駕駛輔助係統（ADAS）創建各種傳(chuan) 感器，例如實現車道保持、自適應巡航控製，以及在超車期間檢測盲點的結構。ADAS既是一種對駕駛員有用的工具，又是一種用來滿足更高安全標準要求的解決(jue) 方案。激光雷達（LiDAR）是ADAS最重要的元素之一，它可以用來實現行人檢測係統、盲點檢測和自適應巡航控製。通常，它對於(yu) 需要檢測和勘測車輛周圍所有元素的所有應用都適用。不難理解，激光雷達的設計對獲得安全的自動駕駛汽車來說至關(guan) 重要。

什麽是激光雷達，它又是如何工作？

激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈衝(chong) 所組成的光束。用於(yu) 計算射線源與(yu) 任何物體(ti) 之間的距離的技術又稱為(wei) TOF（飛行時間），如圖1所示。與(yu) 雷達相比，光學裝置即使在長距離下也具有更高的分辨率，因此，它可以獲得更詳細的三維圖像，再經過中央單元處理就可以避免碰撞。

圖1：TOF技術。（圖片來源：www.hamamatsu.com）

我們(men) 了解激光雷達的原理已有數十年的曆史，其應用涉及醫療、軍(jun) 事以及汽車等許多領域。但是，使用激光束會(hui) 帶來一些重要的技術問題：一方麵，如果激光被證明是一種高分辨率光源，那麽(me) 就可以充分利用這一特性，通過掃描來仔細重建環境的形態；另一方麵，它需要具有較高的機械精度和納秒級的脈衝(chong) 速度；此外，雷達的電磁波具有高反射係數，而對於(yu) 激光而言卻不是如此，因此就需要為(wei) 係統提供更多的能量。由於(yu) 激光束是依靠大電流（甚至達數十安培的數量級）流過LED所產(chan) 生的，因此，為(wei) 了防止過熱，其占空比就必須非常低。要實現高脈衝(chong) 速度和高能量，係統中的電子裝置就需要給以非常大的功率，因此，要增加係統功率，就不可避免地會(hui) 帶來以下技術挑戰：

● 電源器件的散熱管理及散熱器的設計

● 電路能效

● 根據極限溫度找到合適的模塊

● 優(you) 化電路板布局而最大程度降低寄生元件

激光雷達內部：激光驅動器

激光雷達的激光器是由專(zhuan) 門設計的電路所驅動的，它能夠在短時間內(nei) 提供大量電流。普通的驅動器是由一個(ge) 與(yu) 激光器串聯的、充當電流開關(guan) 的元件所構成。實現這種驅動器最常用的電路拓撲之一是電容器放電諧振電路，如圖2所示。

圖2：電容器放電諧振電路。（圖片來源：epc-co.com）

Q1和DL分別是待激活的激光器的開關(guan) 和LED。一旦控製器關(guan) 閉，C1電容器就立即充電至VIN電壓。當Q1導通時，C1通過DL和L1電感放電，從(cong) 而就形成了諧振電路。因此，流過激光器的電流就是正弦脈衝(chong) iDL，直到LED兩(liang) 端的電壓高於(yu) 其正向電壓VDLF為(wei) 止。當DL上的電壓小於(yu) VDLF時，C1再次開始充電。

這種簡單電路的優(you) 點有很多：

● 如果寄生電感已知，就可以對其利用；

● 傳(chuan) 輸到激光的能量與(yu) VIN直接相關(guan) ；

● 隻有一個(ge) 單端開關(guan) 元件，因此很容易控製；

● 傳(chuan) 輸到激光器的脈衝(chong) ，其持續時間小於(yu) 開關(guan) 器件的控製導通時間。

麵對現實時，電路的技術方麵存在衝(chong) 突。在實際的激光雷達係統中，傳(chuan) 統的矽元件（例如MOSFET）無法為(wei) 其激光驅動器實現提供必要的性能。為(wei) 了增強控製，MOSFET的溝道必須很大，這會(hui) 導致寄生電容的充電時間過長，從(cong) 而導致開關(guan) 頻率太低而不滿足應用所需。此外，散熱管理要達到良好的效果，就需要使用大體(ti) 積、大重量的散熱器。

氮化镓器件可滿足所需參數

上述問題很難通過使用矽器件來解決(jue) ，並且需要由經驗豐(feng) 富的、擅長電源和高頻領域工作的工程師和設計人員來進行。

創新的寬禁帶技術器件則具有理想的特性，目前的電子工程師可以利用這類器件來滿足汽車領域對激光雷達係統的需求。

氮化镓（GaN）器件的電子遷移率是矽器件的數百倍，其能隙為(wei) 3.4eV。與(yu) 同類的矽產(chan) 品相比，GaN MOSFET具有更低的傳(chuan) 導損耗、更高的開關(guan) 速度、更好的熱性能，以及更小的尺寸和成本。

所有這些特性都可以滿足驅動器電路開關(guan) 器件的需求。

圖3：GaN器件的基本結構。（圖片來源：www.st.com）

總結

氮化镓器件在商用設備中的運用還隻是開始。事實證明，這類幾年前還被認為(wei) 是不可能或過於(yu) 複雜的技術解決(jue) 方案，現在在許多領域都取得了成功，例如激光雷達係統中的電源驅動器。因此可以肯定的是，在未來幾年，寬禁帶器件將會(hui) 成為(wei) 電力電子領域的主流，這樣就可以解決(jue) “舊”半導體(ti) 器件的技術局限性。