世界上幾乎所有的半導體(ti) 技術研究機構都在嚐試製造單層石墨烯(graphene)，並將其視為(wei) 優(you) 於(yu) 矽的新一代IC材料；不過現在IBM的研究人員卻發現石墨烯材料的另一種優(you) 勢能大幅降低采用氮化镓(GaN)製造的藍光LED成本。

“我們(men) 在利用碳化矽晶圓片所形成的晶圓尺寸石墨烯上，長出了單晶GaN薄膜；”自稱“發明大師”的IBM T.J. Watson研究中心成員Jeehwan Kim表示：“然後整片GaN薄膜被轉移到矽基板上，石墨烯則仍留在SiC晶圓片上重複使用，再繼續長出GaN薄膜、轉移薄膜的程序。”

他指出，比起采用昂貴的SiC或藍寶石晶圓片、且隻能單次使用以長出GaN薄膜的傳(chuan) 統方式，這種新方法的成本效益要高出許多，而且他們(men) 發現以新方法在石墨烯上長出的薄膜質量，高於(yu) 采用其他基板長出的薄膜(缺陷密度較低)。

要長出晶圓尺寸的單層石墨烯薄膜非常具挑戰性，為(wei) 了利用石墨烯製造IC半導體(ti) 組件，專(zhuan) 家們(men) 在過去嚐試了許多不同的方法，可惜隻有部分取得成功；目前發現采用SiC晶圓片、然後將矽汽化，是最可靠的方法之一。

而IBM的Kim證實，將SiC晶圓片的矽汽化之後，所留下的石墨烯薄膜能穩妥地轉移至矽基板上；此外他們(men) 也證實，這種方式產(chan) 出的石墨烯質量，優(you) 於(yu) 直接在要運用石墨烯的晶圓片上所生長的石墨烯品質。

至於(yu) 在石墨烯上長出其他薄膜，又為(wei) 該種材料開辟了一種新應用途徑；Kim將他開發的技術稱為(wei) “在磊晶石墨烯上生長高質量單晶GaN薄膜的直接凡德瓦磊晶法 (direct van der Waals epitaxy)”。他聲稱，以這種方式生長的GaN薄膜或是其他薄膜，可隨意移植到任何一種基板上，支持例如等組件的製造。

由於(yu) Kim的實驗室以上述方法製作的用GaN薄膜，是成功重複利用SiC晶圓片上的石墨烯長成，他們(men) 認為(wei) 這是可利用石墨烯大幅降低半導體(ti) 組件製造 成本的全新方式：“我們(men) 首度證實能在石墨烯上生長晶圓尺寸的單晶薄膜，而且石墨烯還能重複利用；此外我們(men) 的研發成果也為(wei) 在石墨烯上生長高質量單晶半導體(ti) 元 件提供了一個(ge) 通用準則。”

將SiC晶圓片的矽汽化之後，能剝離出單層石墨烯，並將之轉移到任何一種基板上，例如結晶矽。因為(wei) 在將生長於(yu) 其上的薄膜剝離後，完整的石墨烯層並沒有被破壞，Kim也嚐試在該完美結晶石墨烯基板上生長其他種類的半導體(ti) 組件，然後再將之轉移到其他地 方，例如軟性基板；他表示，這種技術有機會(hui) 催生高頻晶體(ti) 管、光探測器、生物傳(chuan) 感器以及其他“後矽時代”組件，IBM已經為(wei) 此在接下來五年投資30億(yi) 美元(人民幣約183.75億(yi) 元）。