6月7日消息，據國外媒體(ti) 報道稱，近日ASML CEO接受媒體(ti) 采訪時表示，中國早已研發國產(chan) 光刻設備。

在這位CEO看來，盡管中國在趕超ASML的技術方麵還有很長的路要走，但美國出台的打壓措施隻會(hui) 適得其反，讓中國“更努力取得成功”。他還稱，與(yu) 其打壓中國等競爭(zheng) 對手，不如將注意力放在創新上。

“中國已經開始研發一些國產(chan) 光刻設備，盡管中國在趕超ASML的技術方麵還有很長的路要走，但你試圖阻止的人會(hui) 更加努力地取得成功。”

在這之前，中國科學院成功研發除了突破性的固態DUV(深紫外)激光，可發射193nm的相幹光，與(yu) 目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導體(ti) 工藝推進至3nm。

中國科學院的這種技術最終獲得的激光平均功率為(wei) 70mW，頻率為(wei) 6kHz，線寬低於(yu) 880MHz，半峰全寬(FWHM)小於(yu) 0.11pm(皮米，千分之一納米)，光譜純度與(yu) 現有商用準分子激光係統相當。

基於(yu) 此，甚至可用於(yu) 3nm的工藝節點。

這種設計可以大幅降低光刻係統的複雜度、體(ti) 積，減少對於(yu) 稀有氣體(ti) 的依賴，並大大降低能耗。

相關(guan) 技術已經在國際光電工程學會(hui) (SPIE)的官網上公布。這種全固態DUV光源技術雖然在光譜純度上已經和商用標準相差無幾，但是輸出功率、頻率都還低得多。

對比ASML的技術，頻率贏達到了約2/3，但輸出功率隻有0.7％的水平，因此仍然需要繼續迭代、提升才能落地。