從國內外產品來看,國外的研究半導體激光器溫度控製器精度和穩定度優於國內,目前產品領先的研發機構有美國的 Newport 公司、美國 ILX Lightwave 公司。其中美國的 Newport 公司研發的溫度控製儀器工作範圍為-50~+150°C,1 小時工作穩定度為<0.001°C,24 小時工作穩定度為<0.005°C。美國 ILX Lightwave 公司溫度控製儀器精度在±0.001°C 內,長期溫度穩定性優於 0.005°C。而國內的激光器溫控儀器生產機構有北京業賢科技有限公司、武漢森托尼激光有限公司、武漢九六傳感技術有限公司、武漢泰倫特世紀科技有限公司,其中業賢科技有限公司 TCM係列高穩定性數字溫控模塊,溫度的穩定性可以達到±0.1°C;森托尼激光公司 TT係列溫控儀離散精度為 0.0625°C,控溫的範圍-55~125°C、九六傳感有限公司溫控儀控製精度達到±0.1°C,控溫的範圍 5~45°C,並且恒流連續輸出,電流噪聲小於0.1%。
從國內外研究現狀來看,國外研製的一種簡單且廉價的激光二極管控製器,穩定工作的電流±8uA和溫度±10mK ,使用 AD590 溫度傳感器,應用了快速傅裏葉變換對驅動電流進行頻譜分析,設計了溫度控製電路和電流控製電路。國外文獻提出了熱電製冷器等效數學模型,準確的反映製冷製熱性能,可用於設計反饋網絡溫度控製應用程序。提出了激光器大信號異質結的數學模型,能夠模擬激光電流電壓和光電動力學響應特性。提出了一個熱電製冷器的等效模型,推導了高頻調製下溫度漂移的幅頻與相頻特性。Bong Su Kim;Sung Jin Yoo提出了一種非線性自適應控製方法,實現了理想的跟蹤性能與滿意度。國外有關激光器溫度控製與電流控製的論文較少,並且技術較成熟。因此,主要闡述國內有關激光器溫度控製與電流控製的關鍵技術。國內天津大學的周瑜等,研製的高精度溫度控製儀器精度能夠達到±0.05°C。中國工程物理研究院江孝國等研究的半導體激光器溫度控製係統溫度控製的穩定度達到±0.1°C 以上。有關激光溫度控製方法的研究已經有了很大進步,比如曲阜師範大學物理工程學院的馬超等,應用 PID 溫控電路實現高精度溫度控製,溫度精度可以達到 0.004°C,電流控製精度為 0.002mA。北京化工大學的李建威等,應用模糊控製與數字 PID 自適應相結合的控製算法,將溫度控製範圍劃分為幾個模糊區間,用實驗的方法確定一個溫度區間內三個環境溫度點的 PID參數,應用拉格朗日二次插值方法來整定不同環境溫度下 P、I、D 的參數值,溫度精度可以達到 0.2°C,對於模糊控製來說,這種方法是很好的,充分利用了插值逼近的思想,但在基準溫度點 PID 參數整定誤差較大的情況下,利用插值方法整定的 PID 參數不準確。同時,模糊控製的方法是建立在實際調試基礎上的,很多情況下沒有給出模糊控製理論證明。大連理工大學的李國林等,通過 PWM 脈寬調製技術控製固態繼電器的通斷來調節輸出溫度大小,提出了不完全微分方法,在微分項中加入了一階慣性環節,能夠減少高頻幹擾信號,在實際實驗中,高頻的幹擾信號參與了微分運算會造成係統控製超前誤判,導致不理想的控製精度。黑龍江大學的任勇等,針對強幹擾影響的難題,通過仿真分析,提出了近似階躍變化的強幹擾信號處理方法。南京航天航空大學的萬榮榮等,測溫元件為鉑電阻,利用卡爾曼濾波器無偏和估計均方誤差最小的特點,實現溫度信號的最優估計和濾波測溫範圍為±80°C,穩定度達到±0.02°C。在哈爾濱工業大學的楊明偉博士論文中,論述了熱電製冷器雙級耦合結構的溫度控製思想,針對環境溫度的變化,建立一個恒溫環境,將環境溫度作為溫控係統的常量輸入和第一級控製對象,而半導體激光器載體模組作為第二級控製對象,這種多模式組合控製的方法中,第一級環境溫度控製是需要較長時間的預熱處理,然後進行第二級控製,從溫度控製的角度來說,第一級溫度控製精度較高的情況下,不需要第二級控製。在哈爾濱工業大學的範賢光博士論文中,深入的研究了脈衝注入式半導體激光器的光電熱特性,為半導體激光器熱傳遞分析與溫度控製奠定了基礎。文中闡述了注入電流對光功率的影響,不同工作溫度對光電特性的影響。
綜上所述,國外的半導體激光器溫度控製和電流控製精度優於國內,為了實現低成本、精度高,穩定性強的半導體激光器將有利於激光技術的應用。同時,也為實驗室的小位移、小角度、振動測量提供穩頻的激光光源。
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