VCSEL從(cong) 誕生起就作為(wei) 新一代光存儲(chu) 和光通信應用的核心器件，為(wei) 互聯網的需求和光學存儲(chu) 密度的不斷提高提供了一條新途徑。隨著VCSEL的研究深入以及應用需求的拓展，VCSEL不僅(jin) 在手機、消費性電子等領域發揮越來越重要的作用，VCSEL還可以用來進行人臉識別、3D感測、手勢偵(zhen) 測和VR(虛擬現實)/AR(增強現實)/MR(混合現實)等。當然，VCSEL將來也可以大量應用在物聯網、5G通信、RF元件、ADAS(先進駕駛係統)等，所以VCSEL未來應用和市場熱度應該會(hui) 受到更多的重視。
尤其是近期蘋果公司宣布iphoness 8即將采用VCSEL半導體(ti) 激光器技術，VCSEL更是引起廣泛關(guan) 注。業(ye) 界認為(wei) VCSEL產(chan) 品進入蘋果產(chan) 業(ye) 鏈不僅(jin) 是產(chan) 業(ye) 公司業(ye) 務的重大突破，更是以VCSEL技術為(wei) 代表的半導體(ti) 激光技術在消費領域的重大突破，VCSEL激光器將進入iphoness產(chan) 業(ye) 鏈，光器件也將從(cong) 工業(ye) 領域走向消費領域[1]。
為(wei) 了滿足市場對各種VCSEL產(chan) 品的需求，對其性能進行優(you) 化得到各方研究人員的重視。世界上各大公司也是重點把握住VCSEL市場，及時地製備出各種滿足市場需求的產(chan) 品，搶占先機。本文將從(cong) 商用和實驗室研究兩(liang) 大方麵對VCSEL進行概括描述。
商用VCSEL
在當下這個(ge) VCSEL產(chan) 品被廣泛需求的時代，世界上各家致力於(yu) VCSEL研究與(yu) 製造的公司均推出了各有千秋的VCSEL產(chan) 品。本節重點對Princeton optronics，Vixar，Ⅱ-Ⅵ，Finisar，Philips Photonics、華芯半導體(ti) 科技有限公司這幾家公司的最新產(chan) 品進行介紹。
Princeton Optronics：該公司成立於(yu) 1993年，一直致力於(yu) 高效率，低功耗VCSEL器件及模塊尖端技術的研發，是一家主要從(cong) 事VCSEL以及基於(yu) VCSEL的光學組件和模塊的私營公司。
在雷達應用領域，公司開發了波長為(wei) 808 nm的1 × 8 VCSEL陣列，其準連續輸出功率(在200ns脈衝(chong) 寬度、1%占空比的操作條件下)大於(yu) 300 mW，具有光譜寬度小於(yu) 1 nm、波長輸出穩定、可靠性高和能夠在高達80℃的溫度下工作的優(you) 點，該產(chan) 品主要應用在激光雷達、激光製導和無人駕駛汽車方麵。
在紅外照明應用領域，公司開發了波長為(wei) 808 nm、850 nm、945 nm、975 nm以及1064 nm的VCSEL器件。其中808 nm的VCSEL陣列最高準輸出功率達800 W，光譜寬度為(wei) 3 nm。波長為(wei) 850 nm的VCSEL陣列最高連續輸出功率達4 W，具有光譜寬度小於(yu) 2 nm、可靠性高以及能在高溫(80℃)下工作的優(you) 點。波長為(wei) 945 nm的VCSEL陣列最高準連續輸出功率達8 W，光譜寬度小於(yu) 1 nm。波長為(wei) 975 nm的VCSEL陣列最高連續輸出功率達100 W，具有光譜寬度小於(yu) 1 nm、可靠性高、低熱阻(~0.16˚C/W)以及能在高溫(80℃)下工作的優(you) 點。波長為(wei) 1064 nm的VCSEL陣列最高連續輸出功率達40 W，具有光譜寬度小於(yu) 2 nm、可靠性高以及能在高溫(80℃)下工作的優(you) 點。這些器件均可應用於(yu) 夜間和霧天的輔助駕駛、安全和監控攝像機，有些還可應用於(yu) 醫療以及固態激光泵等方麵。
由於(yu) VCSEL在紅外照明方麵的應用廣泛，該公司還針對具體(ti) 應用開發了多種照明器，比如波長為(wei) 808 nm和976 nm的二維VCSEL照明器件。針對短程監控應用，開發了波長為(wei) 808 nm和976 nm的緊湊型瓦級照明器模塊,全發散角約為(wei) 20˚(1/e2值全寬)；
針對諸如爆炸或塵雲(yun) 的不利條件進行檢測的軍(jun) 事應用，開發了波長為(wei) 976 nm的千瓦級照明器，該照明器使用9個(ge) 高功率VCSEL陣列製作，其中每個(ge) 陣列的連續輸出功率都大於(yu) 1200 W；針對大於(yu) 200 m長距離範圍的照明，開發了波長為(wei) 808 nm的100瓦級照明器。
在醫療應用領域，開發了波長為(wei) 650 nm的高功率(15 W)紅色激光器件和陣列，這些陣列具有功率轉換效率大於(yu) 20%、光譜寬度約為(wei) 1 nm和具有18˚發散角(全角)的圓形光束的特點，可以用於(yu) 醫療和照明。除此之外還開發了兩(liang) 款波長為(wei) 688 nm的VCSEL器件，一款為(wei) 連續輸出功率為(wei) 1 mW的單器件VCSEL，另一款為(wei) 連續輸出功率為(wei) 2 W的VCSEL陣列。
在2015年該公司應用新技術開發了780 nm，795 nm和850 nm三種波長的單頻VCSEL ，其輸出功率大於(yu) 100 mW，線寬小於(yu) 100 kHz，這類VCSEL器件應用於(yu) 原子鍾。
Vixar ：該公司成立於(yu) 2005年，在VCSEL技術研發與(yu) 製造方麵戰績頗豐(feng) ，為(wei) 生物醫學、工業(ye) 、辦公產(chan) 品、汽車和消費品行業(ye) 的傳(chuan) 感器等應用製造波長在650 nm至1000 nm之間的VCSEL。
在激光測量應用領域，開發了波長為(wei) 670~690 nm和830~860 nm的單模VCSEL，連續輸出功率分別為(wei) 0.7 mW和1 mW，線寬分別為(wei) 小於(yu) 100 MHz和約為(wei) 50 MHz。
在數據通信應用領域，開發了兩(liang) 款VCSEL，一款是波長為(wei) 670~690 nm的多模VCSEL，連續輸出功率為(wei) 3.5 mW，調製速度高達10 Gb/s，光譜寬度為(wei) 1 nm。另一款是波長為(wei) 765~780 nm的VCSEL，連續輸出功率為(wei) 3 mW，調製速度高達10 Gb/s，光譜寬度為(wei) 1 nm。
在低光激光治療應用領域，開發了波長為(wei) 670~690 nm的多模VCSEL以及高功率VCSEL陣列，連續輸出功率分別為(wei) 6 mW和300 mW，光譜寬度為(wei) 1 nm。
在原子鍾應用領域，開發了波長為(wei) 790~800 nm和885~905 nm的單模VCSEL，連續功率均為(wei) 0.1 mW，線寬分別為(wei) 小於(yu) 50 MHz和約為(wei) 50 MHz。
在手勢識別傳(chuan) 感器、安全紅外照明和3D掃描等應用領域，開發了波長為(wei) 830~860 nm的多模VCSEL陣列，公布的VCSEL陣列輸出功率有10 mW, 750 mW, 2 W和10 W，線寬約為(wei) 1 nm。
Ⅱ-Ⅵ公司：II-VI激光企業(ye) 有限公司是一家全球性的運營和創新公司，2016年初收購了Anadigics公司，主要進行VCSEL的研發與(yu) 生產(chan) ，為(wei) 業(ye) 界提供領先的VCSEL激光解決(jue) 方案。
在數據通信和光互連應用領域，開發了波長為(wei) 850 nm的高速多模VCSEL，光輸出功率為(wei) 2.5 mW，數據傳(chuan) 輸速率高達10Gb/s，滿足了高速數據通信的嚴(yan) 格要求。並且此類VCSEL器件能夠在多橫向模式或單縱向模式下工作，具有低發散角的圓形對稱光束，使其能夠很有效地耦合到50/125 µm和62.5/125 µm多模光纖中。除了單器件VCSEL，還有兩(liang) 款波長為(wei) 850 nm的高速多模VCSEL陣列，一款VCSEL陣列的光輸出功率為(wei) 2.2 mW，數據傳(chuan) 輸速率為(wei) 14 Gb/s。另一款VCSEL陣列的光輸出功率為(wei) 2.5 mW，數據傳(chuan) 輸速率為(wei) 20 Gb/s。
在感應應用領域，開發了波長為(wei) 850 nm的低功率單模VCSEL器件，輸出功率為(wei) 1 mW，具有穩定的偏振和對稱的圓形高斯光束等特點。除此之外，還有兩(liang) 款波長為(wei) 850 nm的高功率VCSEL。一款是單器件VCSEL，輸出功率達到10 mW，具有功耗低、可靠性高和圓形光束的特點。另一款是可擴展的二維VCSEL陣列，在50℃溫度下輸出功率最高達到900 mW，具有功率轉換效率達到35%和可靠性高的優(you) 點，主要應用於(yu) 手勢識別。
還有波長為(wei) 795 nm的單模VCSEL器件，最大輸出功率為(wei) 1 mW，線寬小於(yu) 30 MHz，可應用於(yu) 原子鍾光學泵浦。
Finisar ：該公司成立於(yu) 1987年，近三十年來，他們(men) 提供突破性的光學技術和領先的產(chan) 品，為(wei) 電訊設備及服務商、光學顯示、安全係統、醫療器械、環保設備、航空及防禦體(ti) 係提供光學組件、模塊及子係統。
在數據通信領域，開發了波長為(wei) 850 nm的VCSEL，傳(chuan) 輸距離為(wei) 550 m，數據傳(chuan) 輸速率達10 Gb/s，有小於(yu) 0.6 W的低功率損耗，能夠應用在高速以太網、光纖通道以及高速數據連接等方麵。
在感應應用領域，開發了波長為(wei) 850 nm的VCSEL，在低電流(7~15 mA)驅動下能夠提供高的輸出功率(1.5 mW)，頻率大於(yu) 1 GHz。
在手勢識別和3D相機應用領域，開發了波長為(wei) 860 nm的二維VCSEL陣列，在室溫下能夠達到大於(yu) 500 mW的連續輸出功率，在窄脈衝(chong) (小於(yu) 10 ns)和低占空比注入(小於(yu) 1%)條件下，可以達到10 W的峰值功率。此陣列在脈衝(chong) 工作條件下能夠發射高斯形光束，並且上升和下降時間小於(yu) 1 ns。
Philips Photonics：該公司成立於(yu) 1891年，是應用於(yu) 數據通信、消費和工業(ye) 的VCSEL技術、設計和製造的全球領先製造商。公司擁有非常全麵的產(chan) 品組合，從(cong) 用於(yu) 數據通信的高速VCSEL到用於(yu) 安全、監控和夜視應用的紅外照明模塊，從(cong) 用於(yu) 感測應用的單模VCSEL到用於(yu) 精確測量速度和距離的智能激光多普勒傳(chuan) 感器。還有為(wei) 工業(ye) 加熱和光泵浦應用提供紅外輻射模塊。
在數據通信應用領域，開發了高速VCSEL，其中波長為(wei) 850 nm的VCSEL器件有兩(liang) 款產(chan) 品，一款輸出功率為(wei) 1.5 mW，速度可高達14 Gb/s，調製帶寬為(wei) 3 DB。另一款輸出功率為(wei) 2 mW，速度可達到5 Gb/s，調製帶寬為(wei) 3 DB。除此之外，公司還提供了很多數據通信VCSEL陣列，根據具體(ti) 要求VCSEL可以具有單模或多模操作，最高達到24 mW的光輸出功率。
在工業(ye) 熱處理的很多應用領域，公司提供了很好的解決(jue) 方案，將數十瓦到數十千瓦的紅外輸出功率聚集到特定的目標區域，能量強度在傳(chuan) 統的端麵發射激光器和LED之間。該係統是基於(yu) 高功率VCSEL陣列的模塊組合，模塊簡單並且堅固，能夠很容易地以緊湊方式集成到產(chan) 品上，公司能夠根據客戶的特定需求給出量身定製的解決(jue) 方案。比如應用紅外功率係統製作了準連續輸出功率為(wei) 500 W的倒裝發光泵浦模塊和連續輸出功率為(wei) 100 W的正裝發光泵浦模塊。
在紅外照明應用領域，開發的VCSEL器件能夠達到6 W的光功率輸出，具有光譜寬度為(wei) 2 nm、可靠性高以及功率轉換效率高等特點，主要波長有808 nm、850 nm、940 nm和980 nm。該技術可以應用於(yu) 監控、車牌識別和3D相機等。
在感應應用領域，開發了基於(yu) 飛利浦激光多普勒技術的雙眼激光傳(chuan) 感器產(chan) 品係列。這些雙眼激光傳(chuan) 感器可以被應用於(yu) 消費者和專(zhuan) 業(ye) 產(chan) 品的輸入設備，例如PC外圍設備，遊戲應用和軌跡球設備。該公司開發的雙眼激光傳(chuan) 感器是第一個(ge) 也是唯一完全集成、高精度、超快速和低功耗的3D動態感應導航傳(chuan) 感器，並且符合1級人眼安全要求。
國內(nei) 方麵：江蘇華芯半導體(ti) 科技有限公司於(yu) 2017年3月2日宣布，其自主開發的30 G VCSEL芯片已通過客戶測試，並實現規模量產(chan) 。該VCSEL芯片完全采用自主創新的專(zhuan) 利技術，特別是獨有的納米層精確控製與(yu) 補償(chang) 外延技術和芯片BCB平整製程，使得該芯片具備高頻、高溫、高濕以及複雜電磁環境工作的能力，可大大降低數據中心的耗電量。此款850 nm中心波長的VCSEL芯片的主要參數為(wei) ：功率大於(yu) 3.5 mW@6 mA，RMS譜寬小於(yu) 0.4 nm，閾值電流0.8~1.2 mA，斜率效率0.5~0.7 W/A。
對於(yu) 商用VCSEL產(chan) 品可以將其大體(ti) 劃分為(wei) 三個(ge) 階段，第一階段為(wei) 在VCSEL發現之初，由於(yu) 它的獨特優(you) 勢比如圓形對稱光斑、閾值電流低、無腔麵閾值損傷(shang) 等，迅速引起了人們(men) 的廣泛關(guan) 注與(yu) 研究熱潮，也成功地在很多領域取代了邊發射激光器以及LED的地位；第二階段為(wei) 發現了VCSEL易於(yu) 二維集成的特性，由此使得VCSEL器件的輸出功率得到了前所未有的提高，解決(jue) 了例如遠距離照明、醫療應用等很多領域的難題；第三個(ge) 階段為(wei) 發現了VCSEL單器件的可調製性，使其迅速應用在了傳(chuan) 感器等領域。希望在未來可以發現更多VCSEL到目前為(wei) 止還未開發的新性能，使其更好地服務於(yu) 我們(men) 的生活。
研究領域VCSEL
自VCSEL概念被提出以來，其各方麵的研究受到了各個(ge) 研究單位的垂青，尤其是如何優(you) 化其結構性能是一大研究熱點，以下從(cong) 不同優(you) 化VCSEL器件結構性能的方式來介紹近幾年來VCSEL的研究現狀。
VCSEL器件中電流分布的優(you) 化。中國科學院長春光學精密機械與(yu) 物理研究對VCSEL研究成果匪淺，Jianwei Zhang等人[9]在2014年報告了波長約為(wei) 980 nm的高峰值功率VCSE準陣列，在報告中通過優(you) 化電流分布來提高大孔徑VCSEL的外部量子效率，並且開發了具有62 W峰值功率的單器件VCSEL作為(wei) 陣列的基本單元。陣列采用4個(ge) 高功率 VCSEL單管串聯連接，尺寸為(wei) 2.2 mm × 2.2 mm，在30 ns和5 kHz脈衝(chong) 條件下，當電流為(wei) 110 A時，輸出功率大於(yu) 210 W。
高世傑等人]在2016年通過優(you) 化波長為(wei) 980 nm的VCSEL單元器件結構，有效抑製了寬麵VCSEL結構中的非均勻電流分布，提高了單元器件的斜率效率，獲得了直徑為(wei) 400 µm，峰值輸出功率為(wei) 62 W的VCSEL單元器件。在此基礎上，研製出由單元器件組合封裝而成的VCSEL“準列陣”子模塊以及集成驅動電路的微型化VCSEL脈衝(chong) 激光光源，該光源在脈衝(chong) 驅動條件為(wei) 30 ns，2 kHz，105 A條件下的峰值輸出功率達到226 W，光脈衝(chong) 寬度35 ns，中心波長979.4 nm，斜率效率達到2.15 W/A。
VCSEL器件中DBR的優(you) 化。張金勝等人在2014年為(wei) 了實現波長為(wei) 808 nm VCSEL的高功率輸出，對VCSEL的DBR結構材料進行了優(you) 化設計，分析了AlxGa1−xAs材料中Al組分對於(yu) 折射率與(yu) 吸收的影響，並最終確定了DBR的高、低折射率材料為(wei) Al0.2Ga0.8As和Al0.1Ga0.9As，P麵DBR對數為(wei) 23對，N麵DBR對數為(wei) 39.5對。采用非閉合環結構製備2 × 2 VCSEL列陣。通過波形分析法對VCSEL列陣的功率進行了測量:在脈衝(chong) 寬度為(wei) 20 ns、重複頻率為(wei) 100 Hz、注入電流為(wei) 110 A的條件下，最大峰值功率為(wei) 30 W，在脈衝(chong) 寬度為(wei) 60 ns、重複頻率為(wei) 100 Hz、注入電流為(wei) 30 A的條件下，最大功率為(wei) 9 W。
Holger Moench等人在2014年也對DBR進行了優(you) 化設計，使808 nm高功率VCSEL陣列的輸出
功率和輸出效率均得到了提高，研究表明VCSEL性能的優(you) 化，可以通過平衡DBR反射鏡各層中的電光損耗來實現，因為(wei) 反射鏡必須滿足矛盾的要求：一方麵，它們(men) 應當具有良好的電導來達到低電阻，這就要求提高摻雜來。另一方麵，由於(yu) 反射鏡位於(yu) 激光器的光路中，所以它們(men) 應當具有最小的光吸收損耗，這就要求在反射鏡中低摻雜。他們(men) 在電和光損耗的平衡之後選擇DBR對數的最佳數量，N麵DBR對數為(wei) 41對，P麵DBR對數為(wei) 20對，測試結果表明優(you) 化後的808 nm正裝發射VCSEL最大輸出功率增加了1.7倍，最大電光效率已經從(cong) 30%提高到46%。
VCSEL器件中量子阱增益及腔模位置等材料結構參數的優(you) 化。張星等人在2016年報道了自行研製的波長為(wei) 894 nm的VCSEL以及基於(yu) 此類器件的芯片級銫原子鍾係統的應用實驗結果，他們(men) 根據芯片級銫原子鍾對VCSEL在特定高溫環境下產(chan) 生894.6 nm線偏振激光的要求，對器件的量子阱增益及腔模位置等材料結構參數進行了優(you) 化，確定增益–腔模失諧量為(wei) −15 nm，使器件的基本性能在高溫環境下保持穩定，研製的VCSEL器件指標為(wei) ：20~90℃溫度範圍內(nei) 閾值電流保持在0.20~0.23 mA，0.5 mA工作電流下輸出功率大於(yu) 0.1 mW；85.6℃溫度環境下激光波長894.6 nm，偏振選擇比59.8:1；采用所研製的VCSEL與(yu) 銫原子作用，獲得了芯片級銫原子鍾實施激光頻率穩頻的吸收譜線和實施微波頻率穩頻的相幹布居囚禁譜線。
VCSEL器件的新型結構。Mohammad Yazdanypoor等人在2014年提出了一種具有多氧化物層結構的新型VCSEL，這種新型結構的VCSEL設計了4個(ge) 氧化層並且氧化層的孔徑大小和厚度均不相同，具有12 mW單模光輸出功率和0.7 mA閾值電流，表明了該種結構可以實現更高的單模光輸出功率。
X.Yang等人在2015年報道了小尺寸單模無氧化層的VCSEL，該結構實現高性能的關(guan) 鍵是控製光刻和消除氧化層能夠減小熱阻、電阻以及內(nei) 部應力，尤其是比常規VCSEL更加容易控製發光孔經的大小，其在單模輸出時具有高的功率轉換效率，測試結果表明，當發光孔徑為(wei) 2 um時，能產(chan) 生8 mW的單橫模功率, 功率轉換效率達到46%，斜率效率大於(yu) 73%，閾值電流低至300 µA。當發光孔徑為(wei) 1 µm時，能產(chan) 生大於(yu) 5 mW的單模功率，功率轉換效率達到37%，斜率效率大於(yu) 79%，同時這種器件還具有低結溫的優(you) 勢。此類VCSEL器件可用於(yu) 高速光互連和高功率陣列以及需要單模操作的傳(chuan) 感器等一係列應用。
長春理工大學的馮(feng) 源等人在2014年設計並製備了一種波長為(wei) 980 nm新型內(nei) 腔接觸式結構VCSEL，這種新型結構的設計是從(cong) 降低等效電阻方麵進行考慮，把P麵電極設計成內(nei) 腔接觸式結構，在出光孔徑為(wei) 16 µm時，同時製備傳(chuan) 統結構和新型結構兩(liang) 種器件並對其進行測試，傳(chuan) 統結構VCSEL的閾值電流為(wei) 11.5 mA，當注入電流為(wei) 34 mA時，最大輸出功率達到7.3 mW；新結構器件的閾值電流為(wei) 9 mA，當注入電流為(wei) 35 mA時，最大輸出功率達到10.2 mW；新結構的閾值電流降低了21.7%，最大輸出功率提高了28%。結果表明，采用這種新型內(nei) 腔接觸式結構能夠降低體(ti) 電阻，提高輸出功率，進而可改善VCSEL的光電性能。
VCSEL器件其它方式的性能優(you) 化。Kai-Lun Chi等人在2014年對波長為(wei) 850 nm的單模VCSEL陣列進行了研究,他們(men) 通過使用具有適當陣列間距的Zn擴散孔，已經同時實現了具有高連續功率140 mW和窄發散角5˚的圓形對稱圖案。
Yuta Aoki等人[19]在2014年報道了質子注入型倒裝高功率VCSEL陣列，該陣列集成了635個(ge) VCSEL單管，每個(ge) 單管VCSEL在持續工作下的輸出功率達到了380 mW，這些VCSEL單管由質子注入限定並在5 mm × 5 mm正方形中以175 µm間距的緊密排列，在準連續波的工作模式下該陣列實現了超過200 W的輸出功率，這個(ge) 結果說明質子注入在大功率VCSEL陣列製備上有很高的應用前景。
蔡麗(li) 娥等人在2016年利用金屬有機物氣相沉積技術(MOCVD)在(0001)藍寶石襯底上生長了GaN
基VCSEL的多量子阱腔層結構，X射線衍射測量顯示該多量子阱具有良好周期結構和平整界麵，運用鍵合及激光剝離技術將該外延片製作成VCSEL，頂部和底部反射鏡為(wei) 極高反射率的介質膜DBR。在室溫、紫外脈衝(chong) 激光的泵浦條件下，觀察到了VCSEL明顯的激射現象，峰值波長位於(yu) 447.7 nm，半高寬為(wei) 0.11 nm，自發輻射因子約為(wei) 6.0 × 10−2，閾值能量密度約為(wei) 8.8 mJ/cm2。
Hai-Han Lu等人在2016年提出了一種基於(yu) 56 Gb/s LiFi (Light Fidelity可見光無線通信)傳(chuan) 輸技術，該技術使用VCSEL發射源，能夠在20米的自由空間鏈路上實現低誤碼率的、清晰的3維視圖，這種創新性的技術在未來無線基礎設施中將會(hui) 發揮更大更重要的作用，進而有效的提高傳(chuan) 輸速率以及自由空間的傳(chuan) 輸距離。
張岩等人在2017年發表的文章中表明，他們(men) 設計並製備了波長為(wei) 795 nm的單模VCSEL，根據對VCSEL的光場和模式的分析和計算結果，采用MOCVD技術生長了外延結構，製備了不同有源區直徑的氧化限製型VCSEL芯片並進行了測試。當有源區直徑從(cong) 6 um減小到3 um時，VCSEL芯片的邊模抑製比(SMSR)由8.76 dB增加到34.05 dB，閾值電流由0.77 mA減小到0.35 mA。有源區直徑為(wei) 6、5、4和3 um的VCSEL芯片的輸出功率分別為(wei) 0.37、0.46、0.58和0.44 mW，有源區直徑為(wei) 4 um的VCSEL芯片的遠場為(wei) 圓形光束，發散角為(wei) 15˚，85℃時3.5 um有源區直徑的VCSEL芯片輸出功率為(wei) 0.125 mW，激射波長為(wei) 795.3 nm，室溫3 dB帶寬大於(yu) 8 GHz，滿足了銣原子傳(chuan) 感器對VCSEL單模光譜、輸出功率及調製速率的要求。
結論
隨著市場對VCSEL的需要日益多樣化，國內(nei) 外各大公司以及研究機構均是順應潮流對其進行深入研究，優(you) 化VCSEL性能以及提高輸出功率。相信在不久的未來，VCSEL將會(hui) 有更好的發展，為(wei) 我們(men) 的生活提供更多的便利。
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