中紅外波段半導體(ti) 光纖具備實現二氧化矽玻璃光纖所不能實現功能的潛力，例如固有光檢測和光發射等。

光電探測可以通過III-V族和IV族半導體(ti) 完成，而光發射可以使用III-V族半導體(ti) 完成。

日前，來自挪威科技大學的研究人員正在研製由III-V族和IV族半導體(ti) 組成的光纖，並通過使用CO2激光加工改進其性能。

這些設備可在紅外波段光傳(chuan) 輸矽（一種IV族半導體(ti) ）光纖中將那些極具潛力的銻化镓（GaSb，III-V半導體(ti) ）光發射器進行融合。

為(wei) 了製造這種光纖，研究人員將熔融芯GaSb / Si纖芯混合預製棒拉製成具有150μm纖芯的光纖，其中SI中嵌入了小晶體(ti) GaSb並與(yu) 光纖軸對齊。

隨後，他們(men) 用CO2激光器對該光纖進行加熱，以進一步隔離GaSb區域，使其周圍的光傳(chuan) 輸矽重新生長。

激光束首先熔化GaSb，然後通過熱傳(chuan) 遞熔化部分矽，使GaSb斑點移動並重新成形；沿著激光束的移動焦點形成富含GaSb的區域，從(cong) 而在矽內(nei) 產(chan) 生長達1.4mm的GaSb晶體(ti) 。

研究人員使用波長為(wei) 1064 nm的激光實現了光致發光波長為(wei) 1600 nm的GaSb晶體(ti) ，表明晶體(ti) 質量很高。

研究員表示：“我們(men) 的研究成果，是向光纖傳(chuan) 輸開放大部分電磁波譜邁出的第一步，也是最重要的一步。”

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