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產業資訊

中科院科研人員在新型半導體激光器研發上取得進展

來源:新華網2020-09-04 我要評論(0 )   

從(cong) 中國科學院長春應用化學研究所了解到,研究員秦川江聯合日本科研人員,在製作新型半導體(ti) 激光器的研發上取得進展,為(wei) 下一步半導體(ti) 激光器更穩定工作提供重要支撐。該成...

從(cong) 中國科學院長春應用化學研究所了解到,研究員秦川江聯合日本科研人員,在製作新型半導體(ti) 激光器的研發上取得進展,為(wei) 下一步半導體(ti) 激光器更穩定工作提供重要支撐。該成果於(yu) 9月2日在《自然》期刊上發表。


半導體(ti) 激光器應用於(yu) 生活的方方麵麵,用鈣鈦礦材料製作半導體(ti) 激光器是最新的方法之一,但此前該類激光器需在苛刻的低溫環境下才能持續工作。如何讓鈣鈦礦半導體(ti) 激光器在室溫下輸出更穩定,成為(wei) 該研發領域的重要課題。

針對這一重要課題,秦川江團隊與(yu) 日本九州大學安達千波矢團隊開展國際合作,曆時5年取得重要進展。團隊采用特殊設計的鈣鈦礦材料,製作出高效半導體(ti) 激光器。秦川江介紹,鈣鈦礦半導體(ti) 激光器隻能在低溫條件下(零下153攝氏度附近)穩定工作,在室溫下工作數分鍾後,激光便會(hui) 消失,主要源於(yu) 鈣鈦礦中存在一種名為(wei) “三重態激子”的物質。團隊利用特殊材料設計將該物質轉移出來,進而實現了鈣鈦礦半導體(ti) 激光器在室溫下持續穩定的輸出。


該研究成果未來有望在光通信、光信息處理、光儲(chu) 存、照明和顯示等領域得到廣泛應用。


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