近期，中國科學院上海光學精密機械研究所微納光電子功能材料實驗室在二維PdSe₂的寬帶非線性光學響應和光載流子動力學研究方麵取得進展，相關(guan) 研究成果發表於(yu) 《先進光學材料》(Advanced Optical Materials)。

PdSe₂的帶隙能夠通過控製層數變化來實現0-1.3 eV範圍內(nei) 的連續可調，因此被認為(wei) 是連接零帶隙石墨烯和大帶隙MoS₂之間的橋梁，具有光電器件應用方麵的潛力。研究小組利用非線性光學和超快載流子動力學技術係統地研究了三層PdSe₂薄膜的穩態和瞬態光響應。三層PdSe₂在紫外、可見和近紅外區域表現出寬帶非線性吸收行為(wei) 。特別是，PdSe₂在346 nm和520 nm處具有良好的可飽和吸收性質，表明其可以作為(wei) 短波長激光的可飽和吸收體(ti) 。並且基於(yu) 其高調製深度特性，研究小組提出了一種基於(yu) PdSe₂的全光閾值器，可用於(yu) 提高信號的信噪比。此外，研究小組利用泵浦探測技術和瞬態吸收光譜，獲取了PdSe₂在光激發下產(chan) 生的光生載流子的複合壽命，並揭示了其複合機製為(wei) 淺缺陷輔助的俄歇複合過程和深缺陷輔助的缺陷態飽和過程。

這項工作證實了PdSe₂具有寬帶光學響應、較高調製深度和較快響應速度，表明了PdSe₂材料在寬帶納米光電子器件方麵的應用前景。

圖1 三層PdSe₂的寬帶非線性吸收和瞬態吸收光譜