光電子產(chan) 業(ye) 是現代產(chan) 業(ye) 體(ti) 係的“關(guan) 鍵少數”，涉及多個(ge) 國家亟待解決(jue) 的“卡脖子”技術，技術壁壘高、產(chan) 業(ye) 帶動性強、頭雁效應明顯，是新一輪科技革命全球必爭(zheng) 之域。近年來，西安高新區立足秦創原全域承載，以“追光計劃”為(wei) 牽引，推動光電子產(chan) 業(ye) 能級不斷提升，實現了從(cong) 0到1、由弱到強的一係列重大跨越。過去一年，西安高新區光電子產(chan) 業(ye) 規模躍居中西部第一，一批又一批“卡脖子”技術難題取得突破，西安高新區的“西高芯”品牌正變得愈發響亮。

外引內(nei) 培雙向發力產(chan) 業(ye) 規模躍居中西部第一

6月14日，總投資達110億(yi) 元的西安奕斯偉(wei) 矽產(chan) 業(ye) 基地二期項目正式開工，這是奕斯偉(wei) 進入西安高新區兩(liang) 年來又一次增資擴產(chan) ，也是西安高新區光電子產(chan) 業(ye) 的又一次壯大和升級。

奕斯偉(wei) 是國內(nei) 極少數能量產(chan) 大尺寸矽片的半導體(ti) 材料企業(ye) ，擁有國際一流的生產(chan) 檢測設備和先進的廠房與(yu) 動力係統，工藝技術已達到全球第一梯隊水平。目前，奕斯偉(wei) 在西安高新區擁有一座月產(chan) 能達50萬(wan) 片的矽片工廠，已為(wei) 多家海內(nei) 外晶圓廠提供拋光片和外延片。

作為(wei) 西安高新區通過產(chan) 業(ye) 鏈精準招商引進的企業(ye) ，奕斯偉(wei) 的到來，進一步填補了西安高新區在材料設備領域的短板，推動半導體(ti) 及集成電路（IC）產(chan) 業(ye) 形成了集“材料設備—IC設計—IC製造—IC封測”於(yu) 一體(ti) 的完整產(chan) 業(ye) 鏈。

在奕斯偉(wei) 到來之前，西安高新區半導體(ti) 及集成電路產(chan) 業(ye) 已成規模。

在設計環節，集聚了紫光國芯、華為(wei) 研究院、智多晶微等近60家企業(ye) ；在製造環節，西安高新區擁有三星、美光等製造龍頭企業(ye) ，已成為(wei) 我國存儲(chu) 芯片重要一極；在封測環節，西安高新區已形成了以三星、美光、力成、威世半導體(ti) 等企業(ye) 為(wei) 代表的封裝測試企業(ye) 群。

半導體(ti) 及集成電路產(chan) 業(ye) 產(chan) 業(ye) 鏈隻是西安高新區光電子產(chan) 業(ye) 三大產(chan) 業(ye) 鏈之一，除此之外，西安高新區還在光子產(chan) 業(ye) 領域形成了“材料—器件—係統集成—工藝平台與(yu) 應用”的完整產(chan) 業(ye) 鏈，在智能終端產(chan) 業(ye) 領域，打造出了包含“關(guan) 鍵零部件—智能終端設計製造—應用與(yu) 服務”等關(guan) 鍵環節的產(chan) 業(ye) 鏈條。‍

在產(chan) 業(ye) 鏈不斷完善的同時，西安高新區光電子產(chan) 業(ye) 規模也在加速壯大。數據顯示，2021年，西安高新區光電子產(chan) 業(ye) 規模達3344.63億(yi) 元，同比增長了17.13%，躍升至中西部第一。

外引內(nei) 培雙向發力，是西安高新區光電子產(chan) 業(ye) 短期內(nei) 實現跨越式發展的重要動力。

據了解，近年來，西安高新區充分發揮“鏈長製”機製優(you) 勢，全力“建鏈、補鏈、強鏈、延鏈”，引進了先進阿秒激光設施項目、西安奕斯偉(wei) 矽產(chan) 業(ye) 基地擴產(chan) 項目等一批高質量項目；與(yu) 此同時，西安高新區充分發揮企業(ye) 梯度培育體(ti) 係，自主培育了一批國家級專(zhuan) 精特新“小巨人”企業(ye) ，形成了龍頭企業(ye) “頂天立地”，中小微企業(ye) “鋪天蓋地”的格局。

如今，在三星、奕斯偉(wei) 、比亞(ya) 迪電子等一批龍頭企業(ye) 的帶動下，西安高新區即將成為(wei) 全球最大的閃存芯片生產(chan) 基地，具備了全國領先的智能終端設計製造規模，並有了全國領先的軟件信息綜合服務水平。與(yu) 此同時，西安高新區自主培育的芯派電子、航天民芯、拓爾微電子等一批國家級專(zhuan) 精特新“小巨人”企業(ye) 同樣扮演著舉(ju) 足輕重的作用，充分彰顯出西安高新區民營企業(ye) 的發展實力，為(wei) 光電子產(chan) 業(ye) 集群發展注入了新的活力。

聚力攻關(guan) 不斷突破 部分科技成果躋身全球領先

2021年12月20日，第十六屆“中國芯”集成電路產(chan) 業(ye) 促進大會(hui) 暨“中國芯”優(you) 秀產(chan) 品征集結果發布儀(yi) 式在珠海開幕。紫光國芯憑借其SeDRAM™（異質集成嵌入式動態隨機存儲(chu) 器）技術，成功斬獲“中國芯”年度重大創新突破產(chan) 品獎。

據了解，SeDRAM™由紫光國芯曆時7年研發而成，技術水平世界領先。這是西安高新區光電子產(chan) 業(ye) 近年來取得的重大創新成果之一。

作為(wei) 全國光電子產(chan) 業(ye) 的重要一極，西安高新區近年來大力推行關(guan) 鍵核心技術“揭榜掛帥”製度，實施“科創九條”等一係列政策措施，構建起開放的創新研發體(ti) 係，聚合起區內(nei) 高校、科研院所、龍頭企業(ye) 等各類研發力量，誕生了一批科技創新成果，攻破了一個(ge) 又一個(ge) “卡脖子”技術難題。這些科技成果分布在光電子產(chan) 業(ye) 各個(ge) 產(chan) 業(ye) 領域和關(guan) 鍵環節，部分成果技術水平已達全球領先。

在光子產(chan) 業(ye) 領域，西安光機所攻關(guan) 的大功率半導體(ti) 激光芯片製造技術已在多個(ge) 國家級重大預研項目中實現應用，解決(jue) 了國內(nei) 激光芯片的封裝、製冷的行業(ye) 共性問題；西光所聯合飛秒光電，在光通訊領域核心基礎元器件領域同樣取得重大成果，其自聚焦透鏡技術已獲國家科技進步二等獎；唐晶量子VCSEL（垂直腔麵發射激光器）外延片生長技術已達到國際先進水平，完全實現了進口替代。

此外，西安高新區光電子產(chan) 業(ye) 在材料、器件、加工平台等環節，均取得關(guan) 鍵核心技術突破，使光電子產(chan) 業(ye) 發展進一步突破了瓶頸、釋放了活力。

目前，西安高新區已經成為(wei) 我國光電子產(chan) 業(ye) 創新高地。數據顯示，截至目前，西安高新區主導或參與(yu) 製定光電子領域國家標準和行業(ye) 標準超400項，獲得國家科技發明獎、進步獎近10項，承擔國家科技重大專(zhuan) 項、重點研發計劃百餘(yu) 項，累計授權專(zhuan) 利超4萬(wan) 項。

為(wei) 了進一步激發創新活力，西安高新區還在積極推動各類創新平台建設。當前，中科院授時中心、先進阿秒光源等基礎研究平台、秦創原集成電路加速器、西電寬禁帶半導體(ti) 國家工程研究中心等，一批多元主體(ti) 創新平台正在加速推進。未來，隨著這些創新平台的投用，西安高新區光電子產(chan) 業(ye) 的創新體(ti) 係將進一步完善，創新活力將進一步迸發，“西高芯”的品牌將更加響亮。