近日,蘇州長光華芯光電技術股份有限公司(簡稱“長光華芯”)公告,全資子公司蘇州長光華芯半導體(ti) 激光創新研究院有限公司(簡稱“研究院”)與(yu) 蘇州科技城管理委員會(hui) 簽訂項目投資合作協議,擬在太湖科學城新建先進化合物半導體(ti) 光電子平台項目。項目總占地麵積約31畝(mu) ,投資總額約10億(yi) 元。
據公告介紹,蘇州高新區聚焦光子產(chan) 業(ye) 發展,推動產(chan) 業(ye) 鏈、資金鏈、人才鏈深度融合,以加速打造千億(yi) 級光子產(chan) 業(ye) 創新集群為(wei) 目標,持續優(you) 化光子產(chan) 業(ye) 創新創業(ye) 生態。為(wei) 響應蘇州太湖光子中心建設推進暨蘇州高新區產(chan) 業(ye) 創新集群發展的號召,公司全資子公司“研究院”與(yu) 蘇州科技城管理委員會(hui) 依據相關(guan) 法律法規規定,在昨日簽訂了合作協議。
公司擬計劃根據項目進程,合理分期投資自有資金及自籌資金10億(yi) 元在太湖科學城建設先進化合物半導體(ti) 光電子平台項目(包括生產(chan) 中心、研發中心和動力站及配套設施建設,設備采購及後期運營等)。項目計劃2023年開工,2025年建成投產(chan) ,本項目預計年產(chan) 值不低於(yu) 6億(yi) 元。該項目將依法依規得到蘇州科技城管理委員會(hui) 及各級政府政策支持,將依法依規盡快完成辦理各項手續。
項目內(nei) 容:研究院計劃在太湖科學城新建先進化合物半導體(ti) 光電子平台項目,形成年產(chan) 1億(yi) 顆芯片、500萬(wan) 器件的能力,具備氮化镓、砷化镓、磷化銦等激光器和探測器芯片的產(chan) 線建設及器件封裝能力,具備其他高功率半導體(ti) 激光器芯片等功率芯片研發、封測能力(包括6-8寸器件封測生產(chan) 線建設)。
長光華芯表示,本次投資的項目內(nei) 容有利於(yu) 提升公司的產(chan) 品供應能力,進一步鞏固和擴大公司的市場份額;有利於(yu) 完善公司光電子產(chan) 業(ye) 鏈布局;有利於(yu) 公司與(yu) 地方政府實現優(you) 勢互補、互惠。公司擬進行的項目建設將增加公司資本開支和現金支出,但對公司長期的業(ye) 務布局和經營業(ye) 績具有積極影響,符合公司整體(ti) 戰略發展規劃。
長光華芯專(zhuan) 注於(yu) 研發和生產(chan) 半導體(ti) 激光芯片,核心技術覆蓋半導體(ti) 激光行業(ye) 最核心的領域,攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔麵處理、封裝和光纖耦合等技術難題,建成了完全自主可控的從(cong) 芯片設計、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體(ti) 激光器等完整的工藝平台和量產(chan) 線,是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓製造等關(guan) 鍵製程生產(chan) 能力的IDM半導體(ti) 激光器企業(ye) ,有力推動了我國超高功率激光技術及其應用的快速發展。
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