國產(chan) 光刻機核心技術再迎突破，哈工大成功研製出了高速超精密激光幹涉儀(yi) ，目前可用於(yu) 350nm到28nm工藝的光刻機樣機集成研製和性能測試，意味著我們(men) 離光刻機又近了一步。

要想發展半導體(ti) ，光刻機是繞不過去的一個(ge) 環節。早在2018年，中芯國際就預訂了一台EUV光刻機，但一直沒有到貨。到2023年1月底，美國聯合日本、荷蘭(lan) 簽署“協議”，進一步阻止向我國出售DUV光刻機，企圖在芯片製造設備這個(ge) 環境打壓中國半導體(ti) 的發展，在光刻機這條道路上，可以說走得非常曲折。

從(cong) 華為(wei) 遭遇老美打壓後，嚴(yan) 重暴露出我國在高端芯片的短板，核心就是要解決(jue) 光刻機問題。中科院院長白春禮：中科院將集結精銳力量組織係統攻關(guan) ，有效解決(jue) 一批“卡脖子”問題。光刻機便是其中的一項，在中科院的號召下，我國上海微電子堅持自主研發，立誌突破光刻機核心技術。

目前在國產(chan) 光刻機技術已有重大進展，根據媒體(ti) 報道，在2022年，上海微電子在國產(chan) 90nm光刻機已經取得了突破，在多重曝光技術，可以將芯片製程縮小到22nm。另外，上海微電子和國內(nei) 多個(ge) 廠商聯合，多個(ge) 核心技術突破消息頻頻傳(chuan) 來。如華為(wei) 公布了光刻機技術相關(guan) 的專(zhuan) 利；前方還有另一條好消息傳(chuan) 來，上海微電子生產(chan) 的首台2.5D/3D先進封裝光刻機順利交付並正式投入使用。

這是我國光刻機一項關(guan) 鍵技術，采用這種激光幹涉儀(yi) ，才能滿足掩膜工作台、矽片雙工作台、物鏡係統複雜的相對位置和姿態測量需求，保證光刻機的整體(ti) 套刻精度，這對國產(chan) 光刻機有什麽(me) 意義(yi) 呢？

這項技術解決(jue) 我國高端裝備發展和量子化計量基準等前沿研究的“卡脖子”問題。團隊突破係列核心測量方法和工程化關(guan) 鍵技術，該領域存在的測不準、測不精、測不快的核心難題將被徹底解決(jue) 。

眾(zhong) 所周知，EUV光刻機涉及10萬(wan) 個(ge) 零部件，來自全球100多個(ge) 國家，即使是荷蘭(lan) 阿斯蘭(lan) 也無法製造出光刻機所有的零部件，也需要從(cong) 其他國家進口，完成光刻機的組裝。所以說光刻機是一個(ge) 十分精密複雜的設備。涉及光源、雙工件台、物鏡是光刻機的三大核心係統。目前在雙工件台、物鏡核心技術，我國早已突破，隻剩下光源方麵。

早在2021年，清華大學的研發團隊發明了一種名為(wei) “穩態微聚束”（SSMB）的加速器光源，這種新型加速器光源能夠實現大功率、高中頻以及窄帶寬輻射，它可以為(wei) 光刻機的研發提供相關(guan) 技術。其實，對於(yu) 光源技術相信也即將迎來好消息。這也意味著，國產(chan) 光刻機即將迎來突破。

可以說，我國在光刻機方麵發展速度還是非常快的，阿斯麥曾多次發出預警：中國突破光刻機，隻是時間問題。

在傳(chuan) 統芯片產(chan) 業(ye) 上，我國已經取得了很多不錯的成績，光刻機需要突破，也一定會(hui) 突破。在新的道路上，我國也走在世界的前列，無論在傳(chuan) 統道路上還是借助新賽道一旦取得突破，美國就再也沒有辦法了。