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企業新聞

哈工大突破高速超精密激光幹涉儀,阿斯麥:中國即將突破光刻機

來源:一點迅息2023-02-17 我要評論(0 )   

國產(chan) 光刻機核心技術再迎突破,哈工大成功研製出了高速超精密激光幹涉儀(yi) ,目前可用於(yu) 350nm到28nm工藝的光刻機樣機集成研製和性能測試,意味著我們(men) 離光刻機又近了一步。要...

國產(chan) 光刻機核心技術再迎突破,哈工大成功研製出了高速超精密激光幹涉儀(yi) ,目前可用於(yu) 350nm到28nm工藝的光刻機樣機集成研製和性能測試,意味著我們(men) 離光刻機又近了一步。



要想發展半導體(ti) ,光刻機是繞不過去的一個(ge) 環節。早在2018年,中芯國際就預訂了一台EUV光刻機,但一直沒有到貨。到2023年1月底,美國聯合日本、荷蘭(lan) 簽署“協議”,進一步阻止向我國出售DUV光刻機,企圖在芯片製造設備這個(ge) 環境打壓中國半導體(ti) 的發展,在光刻機這條道路上,可以說走得非常曲折。

從(cong) 華為(wei) 遭遇老美打壓後,嚴(yan) 重暴露出我國在高端芯片的短板,核心就是要解決(jue) 光刻機問題。中科院院長白春禮:中科院將集結精銳力量組織係統攻關(guan) ,有效解決(jue) 一批“卡脖子”問題。光刻機便是其中的一項,在中科院的號召下,我國上海微電子堅持自主研發,立誌突破光刻機核心技術。



目前在國產(chan) 光刻機技術已有重大進展,根據媒體(ti) 報道,在2022年,上海微電子在國產(chan) 90nm光刻機已經取得了突破,在多重曝光技術,可以將芯片製程縮小到22nm。另外,上海微電子和國內(nei) 多個(ge) 廠商聯合,多個(ge) 核心技術突破消息頻頻傳(chuan) 來。如華為(wei) 公布了光刻機技術相關(guan) 的專(zhuan) 利;前方還有另一條好消息傳(chuan) 來,上海微電子生產(chan) 的首台2.5D/3D先進封裝光刻機順利交付並正式投入使用。



這是我國光刻機一項關(guan) 鍵技術,采用這種激光幹涉儀(yi) ,才能滿足掩膜工作台、矽片雙工作台、物鏡係統複雜的相對位置和姿態測量需求,保證光刻機的整體(ti) 套刻精度,這對國產(chan) 光刻機有什麽(me) 意義(yi) 呢?

這項技術解決(jue) 我國高端裝備發展和量子化計量基準等前沿研究的“卡脖子”問題。團隊突破係列核心測量方法和工程化關(guan) 鍵技術,該領域存在的測不準、測不精、測不快的核心難題將被徹底解決(jue) 。

眾(zhong) 所周知,EUV光刻機涉及10萬(wan) 個(ge) 零部件,來自全球100多個(ge) 國家,即使是荷蘭(lan) 阿斯蘭(lan) 也無法製造出光刻機所有的零部件,也需要從(cong) 其他國家進口,完成光刻機的組裝。所以說光刻機是一個(ge) 十分精密複雜的設備。涉及光源、雙工件台、物鏡是光刻機的三大核心係統。目前在雙工件台、物鏡核心技術,我國早已突破,隻剩下光源方麵。



早在2021年,清華大學的研發團隊發明了一種名為(wei) “穩態微聚束”(SSMB)的加速器光源,這種新型加速器光源能夠實現大功率、高中頻以及窄帶寬輻射,它可以為(wei) 光刻機的研發提供相關(guan) 技術。其實,對於(yu) 光源技術相信也即將迎來好消息。這也意味著,國產(chan) 光刻機即將迎來突破。

可以說,我國在光刻機方麵發展速度還是非常快的,阿斯麥曾多次發出預警:中國突破光刻機,隻是時間問題。

在傳(chuan) 統芯片產(chan) 業(ye) 上,我國已經取得了很多不錯的成績,光刻機需要突破,也一定會(hui) 突破。在新的道路上,我國也走在世界的前列,無論在傳(chuan) 統道路上還是借助新賽道一旦取得突破,美國就再也沒有辦法了。


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