1月30日，長光華芯開工首日，一舉(ju) 收獲三項國際發明專(zhuan) 利授權通知，其中兩(liang) 項來自美國專(zhuan) 利局，一項來自日本專(zhuan) 利局，成為(wei) 長光華芯布局海外知識產(chan) 權，打造科技核心競爭(zheng) 力的良好開端。長光華芯硬核開啟全球化新征程。

PCT 是一份擁有超過 155 個(ge) 締約國的國際條約，是申請國外專(zhuan) 利的主要途徑之一，必須經過一係列嚴(yan) 格的技術新穎性、創新性和實用性審查才能完成授權，含金量極高。通過世界知識產(chan) 權組織PCT體(ti) 係提交的國際專(zhuan) 利申請量是衡量全球創新活動廣泛使用的指標之一（長光華芯申請PCT國際專(zhuan) 利12項，其中3項已獲得美國和日本授權）。

01 

一種多有源區級聯的半導體(ti) 激光器

Multi-Active-Region Cascaded Semiconductor Laser 

在激光雷達芯片方麵，獲美國專(zhuan) 利局授權的“一種多有源區級聯的半導體(ti) 激光器”，通過在周期性增益結構中增加更多的有源區，提高了器件的內(nei) 量子效率，同時也降低了載流子的密度，從(cong) 而獲得更多的增益。勢壘層連接不具有pn結特性，因此該層不會(hui) 提高器件工作的開啟的電壓，同時外延生長也較隧道結更簡單。該專(zhuan) 利為(wei) 激光雷達芯片的新型結構設計，打破了國外激光雷達芯片結構專(zhuan) 利限製。基於(yu) 該專(zhuan) 利技術，長光華芯VCSEL陣列最高效率達到60%，打破了當時最高光電轉換效率指標紀錄。

該項專(zhuan) 利成果於(yu) 2021年取得中國授權後進入美國申請專(zhuan) 利，分別於(yu) 2021年和2022年在全球光學盛會(hui) 美國Photonics West世界光子學會(hui) 議上做了報告。長光華芯在激光雷達芯片方麵一直堅持自主創新的技術路線，圍繞激光雷達VCSEL芯片技術路線進行了多項核心專(zhuan) 利國際保護。

 02

一種高功率半導體(ti) 芯片及其製備方法

在高功率半導體(ti) 激光芯片方麵，獲日本專(zhuan) 利局授權的“一種高功率半導體(ti) 芯片及其製備方法”通過在波導內(nei) 設置側(ce) 向光柵層，提高了高階光側(ce) 向模式在波導內(nei) 的傳(chuan) 播損耗，達到了抑製高階光側(ce) 向模式激射的目的；通過設置多組周期不同的光柵，抑製了由於(yu) 單一光柵增益調製和折射率調製引起的強度振蕩光模式的激射，從(cong) 而達到抑製側(ce) 向光強度周期振蕩的作用，消除遠場雙峰，降低激光器的側(ce) 向發散角，且不對低階模產(chan) 生影響，提高了芯片亮度。基於(yu) 該專(zhuan) 利技術，長光華芯芯片亮度達到100 MW/cm²sr，處於(yu) 國際領先水平。

 03

一種布拉格光柵外腔激光器模塊合束裝置及合束方法

Beam Combining Device and Beam Combining Method for Bragg Grating External-Cavity Laser

在光纖耦合模塊方麵，獲美國專(zhuan) 利局授權的“一種布拉格光柵外腔激光器模塊合束裝置及合束方法”，通過檢測和判斷形成閉環反饋，有效解決(jue) 在外腔光柵光譜合束中因不同發光模塊光束指向性不同，鎖定波長存在偏差造成的功率損失和合束輸出光光束質量下降的問題，合束裝置結構簡單，判斷檢測快速，調整方便。