8月26日，安徽格恩半導體(ti) 有限公司在金安區舉(ju) 行了氮化镓激光芯片產(chan) 品發布會(hui) 。會(hui) 上發布了包括藍光、綠光及紫光等係列十多款氮化镓激光芯片產(chan) 品，關(guan) 鍵性能指標已達到國外同類產(chan) 品的先進水平，充分展示了格恩半導體(ti) 在氮化镓激光芯片領域的超強技術實力和國內(nei) 領先水平，並將有力促進國內(nei) 氮化镓激光全產(chan) 業(ye) 鏈的蓬勃發展。

據了解，氮化镓半導體(ti) 激光器具有體(ti) 積小、壽命長、效率高等優(you) 點，波長範圍覆蓋可見光和紫外波段，應用場景包括激光顯示、工業(ye) 加工、激光照明、激光通訊、激光醫療等眾(zhong) 多領域，近年來總體(ti) 市場需求呈現較高的複合增長趨勢，由於(yu) 氮化镓激光技術壁壘較高，長期被國外少數企業(ye) 壟斷，我國企業(ye) 需求全部依賴進口。

近年來，格恩半導體(ti) 集中優(you) 勢資源力量，憑借在化合物半導體(ti) 、尤其是氮化镓材料領域豐(feng) 富的研發和生產(chan) 經驗，攻克了一係列技術難點，成為(wei) 國內(nei) 首家可以規模量產(chan) 氮化镓激光芯片的企業(ye) 。目前，格恩半導體(ti) 已具備覆蓋氮化镓激光器結構設計、外延生長、芯片製造、封裝測試全係列工程技術能力及量產(chan) 製造能力，擁有國際領先的半導體(ti) 研發與(yu) 量產(chan) 設備500餘(yu) 台，以及行業(ye) 先進的產(chan) 品研發平台和自動化生產(chan) 線。

據悉，本次發布會(hui) 的舉(ju) 辦，意味著我國在氮化镓激光芯片領域已真正實現突破，打破了被國外企業(ye) 長期壟斷的局麵，填補了國內(nei) 氮化镓激光芯片產(chan) 業(ye) 化空白，在我國半導體(ti) 激光器的發展史上具有裏程碑的意義(yi) 。