36 氪獨家獲悉，北京晶飛半導體(ti) 科技有限公司（下文簡稱：晶飛半導體(ti) ）於(yu) 2023 年 9 月完成天使輪融資，該輪融資金額為(wei) 數千萬(wan) 元。本次融資由無限基金 See Fund 領投，德聯資本和中科神光跟投。

該輪融資籌集到的資金將主要用於(yu) 公司的技術研發、市場拓展以及團隊建設。這一投資將進一步加速晶飛半導體(ti) 在半導體(ti) 領域的創新步伐，為(wei) 推動公司技術和產(chan) 品的不斷升級提供了有力支持。

成立於(yu) 2023 年 7 月，晶飛半導體(ti) 的創業(ye) 契機源於(yu) 第三代半導體(ti) 材料——碳化矽。

碳化矽相較於(yu) 上一代半導體(ti) 材料矽，具備 " 高功率密度、高開關(guan) 頻率、高工作溫度和高耐壓 " 等特點，因此是高壓功率器件的演進方向，在新能源汽車、光伏、軌道交通等各類場景下擁有廣泛的使用前景。

然而，全球製約碳化矽在功率器件滲透率的核心要素便是成本。盡管碳化矽具備大帶隙、大載流子漂移速率和大熱導率的優(you) 勢，但是其硬度遠比傳(chuan) 統半導體(ti) 材料矽更硬，導致切割碳化矽損耗極高。從(cong) 成本結構來看，襯底成本占比在碳化矽器件中高達 47%，傳(chuan) 統矽基器件僅(jin) 有 7%。因此其襯底降本是實現碳化矽器件快速滲透的重要途徑。

綜上所述，晶飛科技致力於(yu) 研究激光垂直剝離技術研究，以實現對第三代半導體(ti) 材料的精準剝離，以有效降低碳化矽襯底的生產(chan) 成本。在 6 英寸和 8 英寸碳化矽襯底激光垂直剝離技術的研發方麵，創始團隊深耕於(yu) 激光精細微加工領域，利用超快激光技術，為(wei) 各種超薄、超硬、脆性材料提供激光解決(jue) 方案，積極推動激光精細加工在製造業(ye) 的國產(chan) 化和傳(chuan) 統工藝替代。

晶飛半導體(ti) 目前的主打產(chan) 品，是碳化矽晶圓激光垂直剝離設備。此前，碳化矽普遍使用金剛線剝離，激光垂直剝離特點在於(yu) ，此前技術模式的線損為(wei) 200 μ m，研磨和拋光的損失為(wei) 100 μ m；激光垂直剝離晶圓的線損為(wei) 0，脈衝(chong) 激光在晶錠內(nei) 部形成爆破層，在分離後由於(yu) 裂紋延伸的存在，在後續拋光加工後材料損失可控製在 80~100 μ m。

傳(chuan) 統多線切割導致珍貴的襯底材料在加工過程中的浪費

晶飛在半導體(ti) 剝離上的新技術模式相比於(yu) 金剛線剝離損失的 1/3，這大大節約了剝離損失；對於(yu) 厚度為(wei) 2 cm 的晶錠，使用金剛線切割晶圓產(chan) 出量約為(wei) 30 片，然而采用激光剝離技術晶圓產(chan) 出量約為(wei) 45 片，增加了約 50 %。

碳化矽激光剝離技術演示圖

團隊構成方麵，晶飛半導體(ti) 本科及以上學曆人員占比 90%、研發人員占比 80%， 其中 40% 以上的人員具備博士學位，團隊具備機械、電氣、軟件和光學的融合背景。

關(guan) 於(yu) 晶飛剝離技術的商業(ye) 價(jia) 值，德聯資本投資經理康乾熙對 36 氪表示，" 新能源革命的大背景下，碳化矽功率器件市場潛力巨大。第三代半導體(ti) 是功率半導體(ti) 材料的重要演進方向，但受製於(yu) 成本，行業(ye) 的滲透一直存在挑戰。激光剝片這一新技術的出現可以顯著降低襯底成本，通過在切片加工新技術的部署，可以大幅降低碳化矽襯底成本從(cong) 而完成下遊，如新能源汽車、軌道交通、光伏等行業(ye) 的進一步滲透，降低損耗，推動未來能源係統變革。"