近日，浪潮集團旗下山東(dong) 華光光電子股份有限公司兩(liang) 項新技術取得突破，經山東(dong) 電子學會(hui) 組織專(zhuan) 家進行鑒定，評價(jia) 為(wei) 國際先進水平。

十萬(wan) 瓦級麵陣用808nm激光器巴條研發及產(chan) 業(ye) 化

本項目攻克了高應變量子阱外延結構設計、多層應力補償(chang) 複合金屬結構設計、低位錯腔麵鈍化等關(guan) 鍵技術，研製的高功率巴條可用於(yu) 十萬(wan) 瓦級麵陣模塊，實現單巴條輸出功率提升74%、效率提升8%，具有大脈衝(chong) 能量和高峰值功率，助力國內(nei) 高端十萬(wan) 瓦級以上半導體(ti) 激光泵源的性能迭代。

經山東(dong) 電子學會(hui) 科技成果評價(jia) ，專(zhuan) 家一致認為(wei) 該成果在芯片波導結構、電極結構以及腔麵鈍化結構方麵具有創新性，輸出功率和電光轉換效率達到了國際先進水平。

高光反饋抗性880nm激光器芯片關(guan) 鍵技術及產(chan) 業(ye) 化

本項目突破了低應力高台階覆蓋度電極技術，設計了多層梯度金屬結構，使芯片側(ce) 向梯度溫度降低，減少發光區與(yu) 周圍溫度差，降低應力對發光區的影響，輸出功率由15W提升到18W ，提升了20%，研發出的高功率880nm激光器芯片與(yu) 國際標杆廠商產(chan) 品水平相當。

經山東(dong) 電子學會(hui) 科技成果評價(jia) ，專(zhuan) 家一致認為(wei) 該成果在量子阱外延結構、應力補償(chang) 以及腔麵鈍化方麵具有創新性，輸出功率和電光轉換效率達到了國際先進水平。

這兩(liang) 項新技術的發布進一步體(ti) 現了華光光電在半導體(ti) 激光器泵源領域的技術實力和創新能力，華光光電將以此為(wei) 契機，持續加強重要技術創新，不斷提升企業(ye) 核心競爭(zheng) 力，以半導體(ti) 激光器核心元器件為(wei) 切入口，走光電子集成的道路，致力於(yu) 成為(wei) 國際先進的光電子產(chan) 品提供商和領先的解決(jue) 方案服務商。