近日，華工科技中央研究院與(yu) 中國科學技術大學合作開展的寬禁帶化合物半導體(ti) 激光退火研究取得重大進展，由中國科學技術大學李家文教授為(wei) 通訊作者，華工科技中央研究院半導體(ti) 項目技術負責人黃偉(wei) 博士為(wei) 共同通訊作者所著的論文《Numerical simulation and experimental investigation of laser pulse duration effects on Ni/SiC ohmic contacts during ultraviolet laser annealing》在國際知名學術期刊《Optics and Laser Technology》正式發表，標誌著我國在半導體(ti) 激光製程領域的基礎研究獲得國際學術界認可。

　　《Optics and Laser Technology》

　　《Numerical simulation and experimental investigation of laser pulse duration effects on Ni/SiC ohmic contacts during ultraviolet laser annealing》

　　《Optics and Laser Technology》是Elsevier出版社旗下專(zhuan) 注應用光學與(yu) 激光技術的國際權威期刊（中科院工程技術2區），創刊逾50年來持續聚焦激光工藝、光電子器件及先進光學工程領域的前沿研究。其最新五年影響因子達5.1，位居JCR光學領域Q2分區，以嚴(yan) 格的學術評審和顯著的工程應用導向著稱，被全球學術界與(yu) 工業(ye) 界共同認定為(wei) 激光技術產(chan) 業(ye) 化創新成果的首選發表平台之一。

　　該論文的研究內(nei) 容聚焦在高能量紫外脈衝(chong) 激光作用於(yu) 寬禁帶化合物半導體(ti) 碳化矽（SiC）晶體(ti) 材料及金屬表麵的作用機製，分析激光引發的材料物理化學變化，精準揭示其對半導體(ti) 器件電學性能的影響。

　　研究團隊通過高能量紫外脈衝(chong) 激光作用於(yu) 碳化矽（SiC）晶體(ti) 及金屬表麵，首次係統及深刻地揭示了不同紫外激光脈寬下調控寬禁帶化合物半導體(ti) 器件電學性能的原理和方法，通過軟件仿真了解紫外脈衝(chong) 激光在金屬鎳（Ni）薄膜和SiC中熱擴散機理和路徑，再依托華工科技自主研發的全自動SiC晶圓激光退火裝備實現工藝落地，完成Ni/SiC器件的歐姆接觸退火測試，並得到行業(ye) 內(nei) 較好水準的器件性能參數，為(wei) 激光退火技術在化合物半導體(ti) 的量產(chan) 應用提供了理論依據與(yu) 工藝範式。

　　基於(yu) 研究成果轉化的華工科技全自動SiC晶圓激光退火裝備目前已實現產(chan) 業(ye) 化突破。該設備兼容6/8英寸晶圓及減薄片、鍵合片等各類SiC晶圓加工，通過機台前置EFEM係統預定位，結合定製激光退火頭和精密運動平台，實現對整片SiC晶圓背金麵(Ni/Ti層)退火，形成良好歐姆接觸，降低接觸電阻，提高器件電學性能。經量產(chan) 驗證，該裝備WPH≥15片（每四分鍾可加工一片晶圓），工藝均勻性≥95%，關(guan) 鍵指標居行業(ye) 領先水平，目前已在半導體(ti) 廠商投入實際驗證。

　　麵向化合物半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 升級需求，華工科技依托產(chan) 學研深度融合優(you) 勢，構建覆蓋第一代至第四代半導體(ti) 材料的工藝裝備體(ti) 係，開發出激光加工與(yu) 量測兩(liang) 大類產(chan) 品線，打造六類核心智能裝備，貫通半導體(ti) 前道製造與(yu) 後道封裝環節。未來，華工科技將持續深化技術創新，為(wei) 國產(chan) 化合物半導體(ti) 製造自主可控提供新質生產(chan) 力支撐。