3 月 23 日，據韓媒報道，三星電子已開始采購應用飛秒激光技術的晶圓切割設備。這些設備包括用於(yu) 在晶圓上開槽的 " 開槽 " 設備與(yu) 一次性完成切割的 " 全切 " 設備，僅(jin) 初期導入數量就至少達 10 台以上。設備計劃引入進行先進半導體(ti) 封裝的天安園區，目前正在準備采購訂單。

三星電子於(yu) 去年第二季度首次在半導體(ti) 切割工藝中引入飛秒激光切割，當時設備僅(jin) 有數台。在驗證了性能與(yu) 生產(chan) 力改善成果後，公司決(jue) 定擴大應用。三星計劃將飛秒激光切割優(you) 先應用於(yu) HBM4 製程，以提高 HBM4 的良率與(yu) 生產(chan) 效率。

近期三星電子已開始量產(chan) 供應 HBM4。隨著進入大規模生產(chan) 轉換階段，預計對飛秒激光切割的需求也將同步擴大。此外，據稱三星還在考慮將飛秒激光切割引入 NAND 閃存與(yu) 係統半導體(ti) 等 DRAM 以外的產(chan) 品。三星電子的飛秒激光切割供應鏈將由韓國企業(ye) EO Technics 與(yu) 日本 Disco 共同承擔。