近日，矽來半導體(ti) (武漢)有限公司(以下簡稱“矽來”)第三批兼容12英寸碳化矽襯底激光剝離量產(chan) 設備順利交付客戶。本次交付標誌著矽來超大尺寸碳化矽襯底激光剝離技術已經成功通過產(chan) 業(ye) 化檢驗，將為(wei) 碳化矽產(chan) 業(ye) 發展注入新的動能。

■ 超大尺寸碳化矽襯底前景廣闊

作為(wei) 第三代半導體(ti) 代表材料，碳化矽具有禁帶寬度大、熔點高、熱導率高等性能優(you) 勢，在高溫、高壓、高頻條件下表現優(you) 異，廣泛應用於(yu) 新能源汽車、智能電網、5G通信等領域，並有望作為(wei) 最理想的AR鏡片材料、先進封裝中介層材料等推動多個(ge) 領域的技術變革。與(yu) 6英寸襯底相比，8英寸和12英寸碳化矽襯底能夠進一步擴大單片晶圓上可用於(yu) 芯片製造的麵積，在同等生產(chan) 條件下，可以顯著提升產(chan) 量、降低成本。

■ 公司自主創新激光剝離工藝技術領先

矽來核心研發團隊來自華中科技大學激光學科，技術創新能力強，且深耕激光產(chan) 業(ye) 多年。

團隊自主創新激光剝離技術，對莫氏硬度高達9.5，接近於(yu) 金剛石的SiC單晶，

先後推出6英寸、8英寸和12英寸碳化矽襯底激光剝離量產(chan) 設備，解決(jue) 了大尺寸、尤其是超大尺寸碳化矽襯底加工的技術難題，效率和損耗顯著優(you) 於(yu) 傳(chuan) 統線切割工藝。關(guan) 鍵技術效果如下：

✔ 高加工效率：單片激光剝離時間<15分鍾@8英寸，較傳(chuan) 統線切工藝提升20-30倍;

✔ 低原料損耗：單片加工損耗碳化矽晶錠60-80μm@8英寸，較傳(chuan) 統線切工藝降低60%，且加工過程中不使用任何耗材及化學試劑;

✔ 高出片率：相較傳(chuan) 統線切工藝，出片量提升30%，單片加工成本降低50%。

■ 公司激光剝離工藝技術的差異性明顯

矽來碳化矽襯底激光剝離設備不同於(yu) 行業(ye) 現有技術路線，體(ti) 現在：

✔ 獨創性采用SOC組合光源。相比多台獨立光源方案具備更高集成度和穩定性;

✔ 搭載自由曲麵光路整形技術;

✔ 配備“白光幹涉麵形檢測+反演算法補償(chang) ”技術：可靠性突出;

✔ 支持不同電阻率碳化矽晶體(ti) 工藝定製，可承載更高能量，且具備“無老化、無壽命限製、強抗幹擾”特性;

✔ 同時支持6、8、12英寸規格，定位精度與(yu) 非標尺寸兼容性滿足生產(chan) 要求;

✔ 單台1.2m*1.4m設備即可完成切割全工序與(yu) 自動上下料。空間布局更加緊湊，設備尺寸經過深度優(you) 化，在保證全自動化高性能運行的前提下，大幅節省車間布局空間，提升廠房整體(ti) 利用率，適配不同規模產(chan) 線的布局需求，更高效、更精密、更智能。

■ 公司激光剝離設備獲得市場和產(chan) 業(ye) 資本高度認可

不到半年時間矽來累計出貨數十套設備，廣泛覆蓋國內(nei) 多家頭部碳化矽企業(ye) 。得益於(yu) 模塊化的設計和產(chan) 業(ye) 協同，矽來半導體(ti) 已實現規模化量產(chan) ，設備的批量交付周期為(wei) 28天，未來有望縮短至14天;

同步布局矽光芯片核心裝備領域，自主研發的矽光芯片激光隱切設備已成功出口海外，憑借更高精度、穩定性與(yu) 性價(jia) 比，將成為(wei) 公司未來主要主力機型之一。

矽來已經成功引入武漢帝爾激光科技股份有限公司等戰略投資者。作為(wei) 全球領先的激光精密微納加工裝備製造企業(ye) ，帝爾激光始終堅持原始創新，深耕激光技術應用“無人區”，在半導體(ti) 領域已經推出TGV 激光微孔、PCB 超快激光鑽孔、SiC/IGBT激光退火、激光隱切等多款設備。未來，矽來將聚焦半導體(ti) 激光裝備核心賽道，持續優(you) 化SoC 光源、自由曲麵光路等核心技術，深化與(yu) 帝爾激光的協同創新，以更先進的技術、更優(you) 質的服務賦能碳化矽襯底產(chan) 業(ye) 發展。

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原文轉自：信陽新聞網