近日，由中國科學院上海矽酸鹽所中試基地氧化碲組葛增偉(wei) 、朱勇等人發明的“一種高純二氧化碲單晶及其製備方法”（High-purity Tellurium Dioxide Single Crystal and the Manufacturing Method Thereof)正式獲得美國專(zhuan) 利商標局授予的專(zhuan) 利授權（美國專(zhuan) 利號：US 8480996 B2）。

      該專(zhuan) 利采用二次晶體(ti) 生長製備方法獲得高純度二氧化碲單晶，尤其是U、Th等放射性雜質含量可降低至10-13g/g，因而使得上海矽酸鹽所成為(wei) 大型中微子探測項目（CUORE項目）所需核心探測材料的全球唯一供應商。目前，上海矽酸鹽所中試基地氧化碲組已向CUORE項目提供1000多塊高純二氧化碲單晶，實現創匯500多萬(wan) 美元。高純二氧化碲單晶作為(wei) 一種大尺寸優(you) 質二氧化碲單晶新產(chan) 品，先後於(yu) 2010年和2011年獲得上海市和國家重點新產(chan) 品計劃資助，取得了良好的社會(hui) 效益和經濟效益。