加州大學Santa Barbara分校UCSB的華裔學生Alan Y. Liu和同事，包括John E. Bowers教授和Arthur C. Gossard教授，發展了一種新的量子點，並稱這項技術讓光子器件的成本可以比擬微電子器件。

    Liu和他的同事們(men) 的做法是直接在矽襯底上用分子束外延技術生長量子點激光器。他們(men) 的貢獻在於(yu) 不僅(jin) 能夠在矽襯底上生長量子點激光器，而且讓這種量子點激光器的性能可以比擬傳(chuan) 統的量子點激光器的性能。這將是向著未來低成本大容量光子集成的重要一步。

    是半導體(ti) 激光器領域的最前沿技術。在量子點之前是所謂量子阱。量子阱激光器是由一係列納米層級的發光材料夾在其他折射率材料直接，一邊用來限製注入電流，一邊用來輸出光。對於(yu) 量子點來說，高密度的更小的幾個(ge) 納米高，數十納米大小的點機構替代了量子阱中的納米層材料。這種量子點的大小可以用一個(ge) 例子來估計，一分硬幣的大小可以容納500億(yi) 個(ge) 量子點。

    量子阱結構還有一個(ge) 問題是，由於(yu) 量子阱是兩(liang) 維連續，一個(ge) 地方的問題可以影響到整個(ge) 一層材料。相比來說，量子點之間互相不影響，因此對於(yu) 有源層生長過程中的晶體(ti) 缺欠更加容忍。用Liu的話說，“正是因為(wei) 這樣，我們(men) 可以在更大更便宜的矽材料上生長激光器。量子點激光器的小巧還決(jue) 定了它的功耗遠比以往的量子阱激光器低，從(cong) 而成本也更低。”

    談到他們(men) 所采用的分子束外延工藝，Liu還指出，這種技術的優(you) 點在於(yu) 可以充分利用矽器件的成熟工藝，從(cong) 而有助於(yu) 降低成本。分子束外延是開發高品質量子點激光器的最好技術，整個(ge) 激光器可以一步完成，最小化了遭到汙染的風險。

    Liu將在3月12日下午5點在121房間介紹這一成就，題目是“矽上外延生長的高性能1.3微米InAs量子點激光器”。最新一期應用物理快報也發表了這一成果。