一維納米結構因其特殊的物理化學性能以及在光電器件上的潛在應用而受到科研人員的廣泛關(guan) 注。武漢光電國家實驗室納米能源技術與(yu) 功能納米器件團隊的沈國震教 授領導的課題組與(yu) 美國南加州大學電子工程係周崇武教授的小組合作，圍繞一維納米結構的組裝、光電器件的設計等科學問題，開展了一維納米結構的製備、器件製 造工藝等探索研究，取得了一係列研究進展。
        該課題組通過采用改進的激光燒蝕輔助化學氣相沉積法，在鍍金的矽片上生長了螺旋狀的In2O3納米線。研究發現所得到的納米線是由多節的納米線連接卷曲而 成的。由於(yu) 立方相In2O3中存在+（001）和-(001)的極性麵，因此由於(yu) 極性麵的誘導造成納米線的卷曲而生成螺旋狀的納米線。該材料顯示了非常快 的光誘導表麵浸潤性變化，在紫外光的照射下，水滴在材料表麵的接觸角在14分鍾內(nei) 由132.7度（疏水性）迅速降低為(wei) 0度（親(qin) 水性）。這一過程比其已見發 表的報道快了將近30倍。以螺旋狀的In2O3納米線為(wei) 活性層材料研製的場效應晶體(ti) 管顯示了優(you) 異的性能，其電子遷移率可達243cm2/vs。該研究成果 於(yu) 2011年2月18日正式發表在美國化學會(hui) 期刊ACS Nano的網絡在線版上。
                

       全透明電子學是近年來研究比較熱門的領域之一。它在透明顯示技術、透明超級電容器、紫外光探測器及太陽能電池等領域有著非常廣泛的應用前景。全透明電子學 的發展離不開高性能納米材料的開發與(yu) 應用。采用氣相沉積法，研究人員製備了點綴Ag納米粒子的單晶ZnO納米線，並用光刻技術研製了基於(yu) 單根納米線的晶體(ti) 管器件。發現該材料顯示了良好的金屬性能，其電阻率可低至6.8×10-4 Ωcm，擊穿電流密度可高達4.5×107 A/cm2。該材料有望取代ITO材料，用來研製透明導電薄膜。該工作發表在Journal of Physical Chemistry C (2010，114，21088－21093)。
        該研究組還利用快速升溫氣體(ti) 捕捉技術，在不依靠外延技術的條件下，在普通矽基片上生長了雙晶In2O3納米帶陣列。以此為(wei) 活性物質的場效應晶體(ti) 管的電子遷 移率為(wei) 20-70 cm2/Vs。在254nm的紫外光照射下，器件的導電性有很大的提高。有望在高性能紫外光探測器上得到應用。