根據 SEMI 最新發布的World Fab Forecast報告，2011年全球晶圓廠支出──包含建廠、廠務設施、設備部份──預測將較2010年成長22%；而今年晶圓廠在設備上的支出(包含新設備與(yu) 二手設備)預期將持續成長28%。

SEMI產(chan) 業(ye) 研究資深經理曾瑞榆表示：今年晶圓廠總支出將可接近472億(yi) 美元，不但高於(yu) 2010年386億(yi) 美元的總支出。同時也超越2007年的晶圓廠總支出高峰464億(yi) 美元的成績。下表一明列出了各年度的晶圓廠建置與(yu) 設備支出數字。

曆年前段晶圓廠支出

SEMI的報告亦顯示，部份廠商在 2011年的支出將創下其曆史新高。例如台積電(TSMC)的資本支出從(cong) 2010年的59億(yi) 美元的創新紀錄，更增加到 2011年的78億(yi) 美元；英特爾(Intel)的資本支出從(cong) 2010年的52億(yi) 美元，飆升到2011的90億(yi) 美元；GLOBALFOUNDRIES在2011年的資本支出為(wei) 54億(yi) 美元，更較2010年的27億(yi) 美元有翻倍的成長。#p#分頁標題#e#

觀察大部分的支出乃是用於(yu) 升級現有設施，因為(wei) 廠商都盡量避免產(chan) 能過剩、供過於(yu) 求的情況。在經濟衰退的前幾年，2004~2007年間的產(chan) 能成長，每年成長值介於(yu) 14~23%。SEMI保守預估，未來幾年半導體(ti) 產(chan) 能仍持續溫和成長，2011年與(yu) 2012年分別成長9%、7% (不含離散組件)；而2013與(yu) 2014年的成長數值也預估徘徊在7%左右。

雖然在晶圓廠設備支出創新高，但在可預見的未來隻有少數新廠建置計劃。根據SEMI統計，2010年有34個(ge) 新量產(chan) 晶圓廠開始動工，其中大部份都是 LED 晶圓廠。2011年，隻有7個(ge) 廠有機會(hui) 可以開工，其它有4個(ge) 廠有機會(hui) 在2012年開工。以產(chan) 業(ye) 別來看，來自於(yu) LED產(chan) 業(ye) 的新廠建置計劃最為(wei) 積極，有5座新LED磊晶廠將於(yu) 2011年動工。

以未來兩(liang) 年與(yu) 過去十年的新建置晶圓廠計劃作比較，SEMI也看到廠商建廠腳步急速趨緩，尤其是12吋晶圓廠。該報告指出，在2010年有7座12吋量產(chan) 晶圓廠(不含R&D與(yu) pilots廠) 開始動工建置；然而，2011#p#分頁標題#e#年估計隻有Intel的晶圓廠於(yu) 2011年中有開始動工的計劃。2012年則預計有3座12吋晶圓廠將開始動工，其中的兩(liang) 座可能做為(wei) 18吋晶圓無塵室之用。

此外，SEMI的World Fab Forecast報告也首次指出有7座晶圓廠未來將有潛力成為(wei) 18吋晶圓廠之用，預估2013年將有第一座廠房可以上線，不過18吋晶圓相關(guan) 設備是否已趨成熟、足夠提供半導體(ti) 廠量產(chan) 之用，仍有待觀察。