近日，中國南車首家海外功率半導體(ti) 研發中心在英國林肯郡順利落成，這是中國軌道交通裝備製造企業(ye) 首個(ge) 海外高端器件研發中心。

　　據了解，研發中心是由中國南車株洲所旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司出資打造，集中現有分散於(yu) 中英兩(liang) 地的研發資源，以二至三年以上的中長期市場項目為(wei) 研發重點，研發內(nei) 容涉及基礎研究、工藝改進、產(chan) 品開發和平台建設，承擔新一代IGBT技術開發，新一代HVDC晶閘管和碳化矽技術的研究開發工作，其取得的知識產(chan) 權將由中國南車和丹尼克斯共同擁有。

　　“中國南車功率半導體(ti) 研發中心的順利落成，將成為(wei) 其吸引全球高端人才、儲(chu) 備人才的‘利器’，通過聯合開發的模式，大大提升中國南車核心技術能力，為(wei) 中國其他企業(ye) ‘走出去’提供借鑒意義(yi) 。”業(ye) 內(nei) 專(zhuan) 家分析。

　　以IGBT為(wei) 代表的功率半導體(ti) 器件技術是軌道交通裝備關(guan) 鍵技術之一，被業(ye) 界認為(wei) 是現代機車車輛（包括高速動車組、大功率機車、城軌車輛）的“中央處理器（CPU），它廣泛應用於(yu) 軌道交通、航空航天、船舶驅動、新能源等攸關(guan) 國計民生的行業(ye) 。“掌握IGBT核心技術，突破關(guan) 鍵瓶頸已經成為(wei) 我國政府及產(chan) 業(ye) 界的共同訴求，基於(yu) 現在良好的政策平台和市場前景以及自身雄厚的技術基礎和人才實力，我們(men) 想抓住這一難得的機會(hui) ，率先走出去。”中國南車旗下的南車株洲電力機車研究所有限公司負責人向記者介紹。

　　中國南車旗下的株洲所是我國最早開發功率半導體(ti) 器件的單位之一。早在“十一五”初期在國內(nei) 率先啟動“高壓IGBT元件研製”項目，並製訂“收購-整合-創新”的戰略，確定“先期導入封裝技術，後續再整合、創新芯片技術”的實施計劃。2008年並購了世界著名的功率半導體(ti) 器件企業(ye) 英國丹尼克斯半導體(ti) 公司，並對其原有技術能力進行升級，將其4英寸IGBT芯片生產(chan) 線改造為(wei) 6英寸生產(chan) 線。同時，中國南車還在株洲基地完成了國內(nei) 第一條高壓IGBT封裝線的建設，其自主品牌的大功率IGBT器件已投入軌道交通裝備運用領域。2011年5月，中國南車規劃啟動了國內(nei) 首條8英寸IGBT芯片生產(chan) 線，率先成為(wei) 國內(nei) 首家集IGBT芯片設計、模塊封裝及測試、係統應用的完整產(chan) 業(ye) 鏈。

　　中國南車作為(wei) 中國最大的軌道交通裝備製造企業(ye) ，2011年，成功實現銷售收入807億(yi) 元，品牌價(jia) 值210.89億(yi) 元，位列國內(nei) 機械行業(ye) 首位。占據中國軌道交通高速動車組、9600千瓦和7200千瓦大功率電力機車、大功率內(nei) 燃機車以及城軌市場六成以上的市場份額。同時，以風電裝備、電動汽車、新材料為(wei) 代表的延伸產(chan) 業(ye) 收入近百億(yi) ，海外市場累計簽約額超過10億(yi) 美元，產(chan) 品成功進入南亞(ya) 、東(dong) 南亞(ya) 、中亞(ya) 、中東(dong) 及大洋洲、南歐市場。