光伏行業(ye) 的目標是不斷提高光電轉換效率，並降低生產(chan) 成本，那麽(me) 實施路徑就是擴大生產(chan) 規模，提高生產(chan) 過程的控製水平。太陽能電池的柵線會(hui) 遮擋太陽光，所以柵線寬度越小，電池的轉換效率就越高。

　　目前國內(nei) 主流絲(si) 網印刷技術的柵線寬度大概在120微米左右，大部分公司都可以達到。德國一些公司應用SE技術能做選擇性發射電極，可以把柵線寬度壓縮到80微米左右。如果要進一步壓縮就需要引進其他新技術，現在一個(ge) 主要的發展方向是激光技術，可以使柵線寬度達到40微米左右。利用這種激光摻雜技術可以使轉換效率達到18%-19%。如果需要把柵線寬度做得更細，那就可以借用半導體(ti) 行業(ye) 的光刻和離子注入工藝，但是要把這種技術從(cong) 半導體(ti) 領域移植到太陽能電池領域是很困難的，因為(wei) 太陽能電池矽片的生產(chan) 量通常是一天處理幾十萬(wan) 片，這大概相當於(yu) 半導體(ti) 工廠一年的加工量。現在國外最先進的工藝是把柵線挪到背麵，通過激光打孔把正麵的電流引到背麵。一家美國公司已經應用這個(ge) 技術在德國建設了一條80MW的生產(chan) 線，預計將在今年投產(chan) 。再進一步就是連激光打孔也不要了，這就是利用所謂的IBC技術，PN結都在背麵，正表麵沒有PN結。這種技術實現產(chan) 業(ye) 化以後，電池效率可以達到20%以上。

　　除了柵線寬度的縮小之外，提高電池效率的另一個(ge) 重要途徑就是利用淺結。當前的電池結深通常是0.5微米，用SE電池或者激光摻雜等技術可以允許結深達到200納米左右，如果結深更淺，擴散就非常不均勻了。這實際上對我們(men) 提出了更高的要求，就是在淺結上能夠做到擴散區域很均勻。另一個(ge) 發展方向是HIT(異質結)技術，就是不需要擴散，在矽表麵用PECVD工藝鍍上一層結矽，其厚度隻有20納米左右，這樣效率就可以得到提高。