台積備戰3nm全靠極紫外光（EUV）光刻設備

極紫外光（EUV）微影設備無疑是半導體製程推向3nm的重大利器。這項每台要價高達逾近億美元的尖端設備，由荷商ASML獨家生產供應，目前主要買家全球僅台積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。

EUV設備賣價極高，原因是開發成本高，因此早期ASML為了分攤開發風險，還特別邀請台積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開發完成，台積電後來全數出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。

有別於過去半導體采用浸潤式曝光機，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到193/132nm的微影技術，EUV微影設備是利用波長極短的紫外線，在矽晶圓上刻出更微細的電路圖案。

ASML目前EUV年產能為12台，預定明年擴增至24台。該公司宣布2017年的訂單已全數到手，且連同先前一、二台產品，已出貨超過20台；2018年的訂單也陸續到手，推升ASML第2季營收達到21億歐元單季新高，季增21%，每股純益1.08歐元，股價也寫下曆史新高。

因設備昂貴，且多應用在7nm以下製程，因此目前有能力采購者，以三星、台積電、英特爾和格羅方德為主要買家。三星目前也是最大買主，估計采購逾十台，將裝設於南韓華城的18號生產線（Line 18）全力搶占晶圓代工版圖。

由於極紫外光可大幅降低晶圓製造的光罩數，縮短芯片製程流程，是晶圓製造邁入更先進的利器。

在三星決定7nm率先導入EUV後，讓EUV輸出率獲得快速提升，台積電決定在7nm強化版提供客戶設計定案，5nm才決定全數導入。

轉載請注明出處。