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半導體/PCB

激光加工能提升中紅外半導體芯光纖的性能

Nick 來源:fun88网页下载2019-06-05 我要評論(0 )   

挪威科技大學的研究人員正在開發由III-V和IV半導體(ti) 組成的光纖,並正在使用CO2激光加工改進其性能。這些器件將潛在的銻化镓(GaSb,III-V半導體(ti) )發光體(ti) 結合在紅外光傳(chuan) 輸...

激光加工光纖潛在的好處包括可以產(chan) 生傳(chuan) 輸和檢測光的中紅外光纖。


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NTNU研究員Ursula Gibson


在中紅外區域中傳(chuan) 輸的基於(yu) 半導體(ti) 的光纖可能有實現基於(yu) 二氧化矽玻璃的光纖所不能實現的功能的潛力,例如固有的光檢測和光發射。光電探測可以通過III-V和IV半導體(ti) 完成,而光發射可以使用III-V半導體(ti) 完成。


挪威科技大學的研究人員正在開發由III-V和IV半導體(ti) 組成的光纖,並正在使用CO2激光加工改進其性能。這些器件將潛在的銻化镓(GaSb,III-V半導體(ti) )發光體(ti) 結合在紅外光傳(chuan) 輸矽(IV半導體(ti) )光纖中。


為(wei) 了製造光纖,研究人員將熔融芯GaSb / Si纖芯混合預製棒拉製成具有150μm纖芯的纖維,其中SI中嵌入了小晶體(ti) GaSb並與(yu) 纖維軸對齊。然後,他們(men) 用CO2激光加熱光纖,以進一步隔離GaSb區域,使其周圍的矽重新生長。激光束首先熔化GaSb,然後通過熱傳(chuan) 遞熔化矽的一部分,使GaSb斑點移動並重新成形。沿著激光束的移動焦點形成富含GaSb的區域,允許在矽內(nei) 產(chan) 生長達1.4mm的GaSb晶體(ti) 。


研究人員使用1064 nm的光線使GaSb晶體(ti) 在1600 nm左右發光,表明晶體(ti) 質量很高。


“我們(men) 的結果首先是向光纖傳(chuan) 輸開放大部分電磁波譜的一步,”研究員Ursula Gibson說。


作者:John Wallace


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