近日，據國家新材料產(chan) 業(ye) 發展專(zhuan) 家谘詢委員會(hui) 委員介紹，國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃已明確第三代半導體(ti) 是重要發展方向。

與(yu) 第一、二代半導體(ti) 材料相比，以碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）為(wei) 代表的第三代半導體(ti) 材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性，可以實現更好的電子濃度和運動控製，特別是在苛刻條件下備受青睞，在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。

資料來源：銳觀網、國海證券研究所

資料顯示，相對於(yu) 傳(chuan) 統的矽材料，SiC的禁帶寬度是矽的3倍；導熱率為(wei) 矽的4-5倍；擊穿電壓為(wei) 矽的8倍；電子飽和漂移速率為(wei) 矽的2倍，因此，碳化矽更適用於(yu) 製造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率器件。

產(chan) 業(ye) 格局：美歐日三足鼎立 國內(nei) 企業(ye) 有望實現彎道超車

從(cong) 產(chan) 業(ye) 發展格局來看，全球SiC的產(chan) 業(ye) 格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立的態勢。美國的科銳、德國的英飛淩、日本的羅姆這三家公司占據了全球SiC市場約70％的份額，其中科銳、羅姆實現了從(cong) SiC襯底、外延、設計、器件及模塊製造的全產(chan) 業(ye) 鏈布局。

根據Omdia《2020年SiC和GaN功率半導體(ti) 報告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導體(ti) 的銷售收入預計將從(cong) 2018年的5.71億(yi) 美元增至8.54億(yi) 美元。未來十年的將保持年均兩(liang) 位數增速，到2029年或將超過50億(yi) 美元。

資料顯示，目前國內(nei) 廠商正在布局第三代半導體(ti) 的設備、襯底、外延和器件全產(chan) 業(ye) 鏈環節，包括難度最大的襯底長晶環節，自動化程度較高的外延環節和應用於(yu) 下遊市場的器件環節。如露笑科技發布2020年度非公開發行股票預案，擬募集資金總額不超過10億(yi) 元，用於(yu) “新建碳化矽襯底片產(chan) 業(ye) 化項目”、“碳化矽研發中心項目”等；耐威科技公告稱，擬投資設立全資子公司聚能海芯，以此作為(wei) 項目公司，組織資源投資建設自主氮化镓微波及功率器件生產(chan) 線。

國海證券研報認為(wei) ，第三代半導體(ti) 工藝產(chan) 線對設備要求相對較低，國內(nei) 企業(ye) 和國外龍頭差距相較於(yu) 第一、二代半導體(ti) 較小，國內(nei) 公司存在彎道超車機會(hui) 。第三代半導體(ti) 市場空間廣闊。一方麵，第三代半導體(ti) 下遊應用切中了“新基建”中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵交主要領域，另一方麵，第三代半導體(ti) 產(chan) 品主要使用成熟製程工藝，在美國持續升級對我國半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 技術封鎖的大環境中，第三代半導體(ti) 有望成為(wei) 我國半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 突圍先鋒，相關(guan) 產(chan) 業(ye) 鏈上下遊企業(ye) 將充分受益。

“政策+資金”扶持 半導體(ti) 材料國產(chan) 化替代加速

實際上，第三代半導體(ti) 被認為(wei) 是具有重大影響的戰略技術，其技術及應用的突破成為(wei) 全球半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 新的戰略高地，各國政府紛紛加緊在第三代半導體(ti) 領域的部署。

據了解，美國從(cong) 2014年初，就成立了“下一代功率電子技術國家製造業(ye) 創新中心”，期望通過加強第三代半導體(ti) 技術的研發和產(chan) 業(ye) 化，使美國占領下一代功率電子產(chan) 業(ye) 市場。

日本建立了“下一代功率半導體(ti) 封裝技術開發聯盟”，由大阪大學牽頭，協同羅姆、三菱電機、鬆下電器等18家從(cong) 事SiC和GaN材料、器件以及應用技術開發及產(chan) 業(ye) 化的企業(ye) 、大學和研究中心，共同開發適應SiC和GaN等下一代功率半導體(ti) 特點的先進封裝技術。

歐洲啟動了產(chan) 學研項目“LASTP OWER”，由意法半導體(ti) 公司牽頭，協同來自意大利、德國、法國、瑞典、希臘和波蘭(lan) 等六個(ge) 歐洲國家的私營企業(ye) 、大學和公共研究中心，聯合攻關(guan) SiC和GaN的關(guan) 鍵技術。

而我國也在“中國製造2025”計劃中明確提出要大力發展第三代半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 。2015年5月，中國建立第三代半導體(ti) 材料及應用聯合創新基地，搶占第三代半導體(ti) 戰略新高地；國家科技部、工信部、北京市科委牽頭成立第三代半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 技術創新戰略聯盟（CASA），推動我國第三代半導體(ti) 材料及器件研發和相關(guan) 產(chan) 業(ye) 發展。

近日，有消息人士透露，為(wei) 加大扶持集成電路裝備和材料業(ye) 發展，上海市近期將製定出台專(zhuan) 項扶持政策，簡稱“珠鏈計劃”，重點支持6家本地集成電路裝備和材料企業(ye) ，分別為(wei) ：中微半導體(ti) 設備（上海）股份有限公司、盛美半導體(ti) 設備（上海）有限公司、安集微電子科技（上海）股份有限公司、上海萬(wan) 業(ye) 企業(ye) 股份有限公司、上海新昇半導體(ti) 科技有限公司、上海至純潔淨係統科技股份有限公司。

除了政策扶持外，在資金扶持上，“國家集成電路產(chan) 業(ye) 投資基金”二期注冊(ce) 資本達 2041.5億(yi) 元，將重點扶持半導體(ti) 裝備及材料領域，有望加速推動半導體(ti) 材料的國產(chan) 化進程。

附：45家涉足第三代半導體(ti) 的A股上市公司（財務數據為(wei) 2020年中報數據）：