遠場模式的UV-C激光投影到屏幕上。

UV-C半導體(ti) 激光器的截麵結構。

脈衝(chong) 作用下UV-C半導體(ti) 激光器的發射特性。

根據《應用物理學快報》雜誌的一篇報道，日本名古屋大學已經與(yu) 旭華成公司合作製造了一種能夠發射深紫外光的激光二極管。

Chiaki大學電子未來研究中心

能發射短波紫外光的激光二極管簡稱UV-C，其波長範圍為(wei) 200～280nm，可用於(yu) 醫療消毒、皮膚病治療、氣體(ti) 及DNA分析。

ChiakiSasaoka教授研製的深紫外半導體(ti) 激光器克服了半導體(ti) 器件發展中的一些問題。他們(men) 使用高質量的氮化鋁作為(wei) 激光二極管層的襯底。研究人員說，這是必要的，因為(wei) 低質量的AlN中含有大量缺陷，這將影響激光二極管有源層將電能轉換為(wei) 光能的效率。

在激光二極管中，“p型”和“n型”層被“量子阱”隔開。當電流通過半導體(ti) 激光器時，p型層中的正電荷空穴和n型層中的負電荷電子將聚集到中心，最終以光子的形式釋放能量。研究人員設計的量子阱發射深紫外光。他們(men) 用Gan鋁製備了p型層、n型層和包層。覆蓋層位於(yu) p和n型地層的兩(liang) 側(ce) 。通過摻雜將矽雜質添加到n型層下方的包層中，並通過分布偏振摻雜將其他雜質添加到p型層上方的包層中。p層一側(ce) 的覆蓋層設計為(wei) 底部最高，逐漸減少至頂部。研究人員認為(wei) 鋁梯度可以增強帶正電空穴的流動。最後，製備了Mg摻雜Gan鋁的表麵接觸層。在實驗中，研究人員發現，隻有當脈衝(chong) 電流達到13.8伏特的低工作電壓時，偏振摻雜p層才能發出迄今為(wei) 止最短波長的紫外光。

之前，Sasaoka教授團隊正在與(yu) 旭華成公司聯合開發，實現室溫下連續深紫外激光發射，進而開發UV-C半導體(ti) 激光產(chan) 品。