光刻機，其實就是一種切割工藝。矽芯片由片刻進行由切割產(chan) 生單晶矽，然後經過高溫c-f加工可以切割成矽片。矽片按照電子器件類型有cmos集成電路，hmsoc等等，都需要進行光刻處理，以達到實際應用的性能。光刻機要區分光刻工藝有兩(liang) 大類，激光光刻和化學光刻兩(liang) 大類。

激光光刻(如intelswrl,intelswrl:cobrushoxidelens)又稱為(wei) 熱點光刻，是指用激光光熱離子束進行光刻的工藝。主要目的是獲得微縮版的半導體(ti) 製造物，或是下層實體(ti) 晶體(ti) 管的圖案。根據光路，光刻中的激光首先經過幾十或幾百攝氏度的高溫。然後經過cmp全鋁化學氣相沉積技術。還需要用到化學氣相沉積的液體(ti) ，一般都是有機溶劑，如cl2，h2，o2等。這是一個(ge) 高溫高壓的過程，能讓多少離子包圍在晶體(ti) 管的圖案上，就能看到多少離子。

除此之外，用到化學氣相沉積的液體(ti) 一般都是高熔點的材料，如醇、醚、醛、醛酮等等。除了需要用到激光光熱離子還需要一種特殊的氧化劑來去除雜質雜質，比如全鋁化學氣相沉積技術可能在最終版本的矽的光刻中會(hui) 看到一種用於(yu) 氧化的高氧化性雜質，叫作有機添加劑或者硝酸鹽。而化學光刻主要就是直接用矽刀切割，所以產(chan) 品的性能和光刻機是沒有太大關(guan) 係的，而光刻機的應用的製造光刻機。