
在微電子工業(ye) 中,激光技術得到了廣泛的應用,在巨量轉移技術中,也有研究人員試圖借助激光來實現巨量轉移的過程,這就是激光轉移流派。
Coherent(相幹)是一家激光器製造商,其公司的產(chan) 品在平板顯示工業(ye) 中有廣泛的應用,包括準分子激光退火,柔性基底激光剝離,激光切割等等。
而在MicroLED製造過程中,Coherent也基於(yu) 他們(men) 深厚的激光技術,提出了他們(men) 的解決(jue) 方案。

在如下的視頻中,Coherent展示了他們(men) 在MicroLED製造中所涉及到的激光剝離技術(LLO)和激光轉移技術(LIFT)。
▲Coherent的激光技術在MicroLED上的應用
2018年,Coherent在whitepaper中介紹了他們(men) 公司可能應用於(yu) MicroLED製造中激光技術[35],包括如下:
● 激光剝離(Laser Lift-Off, LLO):
可以將MicroLED器件從(cong) 藍寶石外延片上剝離下來,轉移到一個(ge) 載板基板上,供後續巨量轉移

▲LLO過程
● 激光誘導向前轉移技術(Laser Induced Forward Transfer, LIFT):
用於(yu) 巨量轉移的過程中,將MicroLED轉移到背板基板上
● 準分子激光退火(Excimer Laser Annealing, ELA):
用於(yu) LTPS-TFT背板的低溫多晶矽薄膜製造過程
● 激光切割(Laser Cutting):
用於(yu) 麵板的切割
● 激光修複(Laser Repair):
用於(yu) MicroLED麵板的切割
對於(yu) MicroLED的整體(ti) 的過程,激光所用到的LLO和LIFT可以用如下的圖片來表示:

▲MicroLED製造過程中的LLO和LIFT
對於(yu) 巨量轉移過程,Coherent采用了248nm的激光來轉移GaN MicroLED,激光束通過一個(ge) Mask和投影鏡頭,可以實現1000個(ge) die的同時轉移。
另外一家美國的公司QMAT也提出激光轉移的技術方案[36],他們(men) 所采用的巨量轉移設備稱為(wei) Zero-ppm BAR Mass-Transfer Tool,
所謂Zero-ppm即為(wei) 零缺陷的轉移,而BAR為(wei) Beam-Addressed Release的縮寫(xie) ,即激光束尋址釋放,可以實現精確的選擇性轉移。
如下圖所示,在巨量轉移前,源基板上的MicroLED器件需要經過測試,並將測試結果作為(wei) KGD File保存在計算機中(KGD即為(wei) Known Good Die)。

在後續轉移的過程中,通過讀取KGD文件中缺陷的位置信息,可以通過激光精確地進行選擇性轉移,從(cong) 而使有缺陷的器件不會(hui) 被轉移到目標基板上。

在QMAT的文章中可以看到其技術實現的一些細節[37],在他們(men) 的方案中,關(guan) 鍵點在於(yu) :
采用薄膜轉移的方式,可以得到高質量的GaN薄膜,這樣可以提升Micro LED器件的效率。

▲薄膜轉移
減少了2倍MOCVD的時間,使得成本大大降低
可以在巨量轉移前進行電學測試篩選,得到KGD的信息

▲集成功能測試層
EPI基底就是轉移基底,采用激光可以實現選擇性轉移
位於(yu) 基底和EPI GaN之間的功能層,在LLO過程中作為(wei) 釋放層,可以避免GaN的損傷(shang)
在激光轉移流派中,還有一家美國公司Uniqarta,他們(men) 提出了一種被稱為(wei) LEAP的技術,即Laser-Enabled Advanced Placement,

這種技術與(yu) QMAT的方案的轉移過程有相似之處,即都能夠實現選擇性轉移。
如下圖所示,在Uniqarta的設備中,首先將激光束分束,然後在X-Y平麵上掃描,達到選擇性轉移的目的[38-40]。

▲LEAP轉移
不過在轉移的時候,Uniqarta采用了一個(ge) 釋放層,稱為(wei) Blistering轉移,而不是QMAT的ablative轉移。
釋放層吸收激光的能量,而將其上的MicroLED彈射出去,轉移到目標基板上。
采用這個(ge) 技術,MicroLED背麵不會(hui) 吸收激光的能量,從(cong) 而減少激光對其的損傷(shang) 。

▲Blistering示意
流體(ti) 自組裝派是利用流體(ti) 的驅動,通過磁力、機械力或毛細作用力等方式,使MicroLED器件在流體(ti) 中自動裝配到設計的指定區域。
根據目前的調查,不少廠商都有在流體(ti) 自組裝巨量轉移的報道,包括Self Array,Elux,Nth Degree, 三星,夏普等等,在這裏選擇一些比較典型的廠商介紹一下這個(ge) 技術流派。
MicroLED器件上沉積一層熱解石墨,
然後被放置在磁性震動平台上
在平台上根據設計的磁性陣列快速完成定位,
然後就可以將這些器件巨量轉移到驅動基板上。
SelfArray的磁性自組裝原理如下麵兩(liang) 張圖片所示。
但關(guan) 於(yu) 器件本身的製備即轉移的細節,還有待調查更多的信息。

▲磁性載台流體(ti) 自組裝原理

▲SelfArray自組裝顯微觀察
eLux也提出流體(ti) 自組裝巨量轉移技術方案。
eLue於(yu) 2016年在美國成立,eLux與(yu) 日本夏普的淵源很深,CEO Jong-Jan Lee與(yu) CTO Paul Schuele均出自夏普美國實驗室(Sharp Laboratories of America)。
2017年富士康通過其子公司CyberNet Venture Capital向其注資1000萬(wan) 美元,2018年又與(yu) 群創光電,AOT和夏普一起,正式收購eLux的全部股權。
在eLux發表的專(zhuan) 利文件中,他們(men) 給出了其流體(ti) 自組裝技術的一些細節[41]。
在NEPCON Japan 2019的報告中他們(men) 進一步解釋了這個(ge) 技術[42]。

▲eLux轉移示意
可以看出,在這個(ge) 技術方案中,eLux對MicroLED的形狀有特殊的設計,這樣可以保證在自組裝的過程中正麵朝上。
首先目標基板放置在液體(ti) 中,
然後將大量的MicroLED器件也放入並置於(yu) 目標基板上方,
然後通過振動,通過流體(ti) 和重力的共同作用,使MicroLED器件定位到指定的位置。
在剛剛過去的DIC2021論壇上,eLux還介紹了他們(men) 的流體(ti) 自組裝技術,並展示了自組裝過程的視頻,如下圖所示。

▲eLux流體(ti) 自組裝顯微觀察
據eLux在DIC2021論壇上介紹,采用這種方案有如下一些特點:
分離的MicroLED器件在流體(ti) 中完全隨機自組裝,可以消除外延生長時,器件性能麵內(nei) 不均造成的影響。
可以先選擇合格的MicroLED器件進行轉移,因此可以避免將不良器件轉移到驅動基板上
剩餘(yu) 的MicroLED器件可以重複利用
轉移的速度快,成本低
關(guan) 於(yu) 流體(ti) 自組裝轉移,還有如下一些方案:
包括在轉移過程中利用機械力進行組裝,焊接組裝,疏水性組裝,電泳組裝等等,這裏就不詳細進行介紹了[42]。

采用流體(ti) 自組裝雖然具有一些優(you) 點,但目前看起來還有一些難點需要克服:
比如難以進行三色器件的轉移,自組裝的效率等等。
因此還需要對這項技術進行更加深入的研究。
韓國的KIMM開發了卷對卷打印的巨量轉移技術,
其基本過程如下兩(liang) 張圖所示:
首先通過滾輪將源基板上的MicroLED器件轉移到滾輪上,
然後再將滾輪上的器件轉移到目標基板上。
▲器件轉移到滾輪上
▲器件轉移到目標基板上
要通過滾輪對MicroLED進行拾取,在滾輪上麵也需要一層PDMS材料作為(wei) 印章,
但如何實現選擇性拾取,或源基板上微器件的間隔拾取,仍然是需要討論的地方。
要實現MicroLED器件的量產(chan) ,巨量轉移技術必須要進一步取得突破,實現快速、高效、低成本的轉移。
目前業(ye) 內(nei) 在巨量轉移方麵投入了大量的精力,在各種不同技術流派上均取得一些成果,但還遠遠不能說有決(jue) 定性的突破,也很難預測哪一種技術方案會(hui) 首先成為(wei) 量產(chan) 方案。
但就筆者接觸到的信息,工業(ye) 界最熱衷開發的還是彈性印章轉移和激光轉移,因為(wei) 蘋果收購的LuxVue采用的靜電轉移,因此也受到一定的關(guan) 注。
就讓我們(men) 繼續保持對這個(ge) 技術的關(guan) 注。
以上,全篇內(nei) 容完。
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