近日，中國電子科技集團第二研究所（以下簡稱“中電科二所”）傳(chuan) 來好消息，在SiC激光剝離設備研製方麵，取得了突破性進展。

該科研團隊已掌握激光剝離技術原理與(yu) 工藝基礎，並利用自主搭建的實驗測試平台，結合特殊光學設計、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術，實現了小尺寸SiC（碳化矽）單晶片的激光剝離。

中電科二所以解決(jue) SiC襯底加工效率這一產(chan) 業(ye) 突出難題為(wei) 目標，將SiC激光剝離設備列為(wei) 重點研發裝備，借此實現激光剝離設備國產(chan) 化，力爭(zheng) 使其具備第三代半導體(ti) 核心裝備研發、產(chan) 業(ye) 化和整線裝備解決(jue) 方案的能力。據報道，該研發項目已通過專(zhuan) 家論證，正式立項啟動。

中國電科二所於(yu) 1962年成立於(yu) 北京，1965年遷入太原。

公開消息顯示，多年來，該所立足自主裝備與(yu) 產(chan) 業(ye) 融合，已形成了高端製造裝備和工藝技術集成的能力。目前，中國電科二所的科研方向以智能製造、微電子、第三代半導體(ti) 和新能源等為(wei) 主。近20年來，其自主研發的碳化矽材料、微組裝設備等均達到國內(nei) 領先水平；實現了光伏新能源、微電子共燒陶瓷器件、碳化矽襯底材料的產(chan) 業(ye) 化。