據中新社報道：作為(wei) 芯片製造核心關(guan) 鍵裝備，由中國電子科技集團有限公司(中國電科)旗下電科裝備自主研製的高能離子注入機，已成功實現百萬(wan) 電子伏特高能離子加速，其性能達國際主流先進水平。

中國電科旗下電科裝備離子注入機總監張叢(cong) 表示，電科裝備將在年底前推出首台高能離子注入機，實現中國芯片製造領域全係列離子注入機自主創新發展，並將為(wei) 全球芯片製造企業(ye) 提供離子注入機成套解決(jue) 方案。

據了解，離子注入機是芯片製造中至關(guan) 重要的核心關(guan) 鍵裝備。在芯片製造過程中，需摻入不同種類元素以按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子形式被加速至預定能量並注入至特定半導體(ti) 材料中。離子注入機即是執行這一摻雜工藝的芯片製造設備。

高能離子注入機是離子注入機中技術難度最大的機型，長久以來，因其極大的研發難度和較高的行業(ye) 競爭(zheng) 壁壘，被稱為(wei) 離子注入機領域的“珠穆朗瑪峰”，是中國集成電路製造裝備產(chan) 業(ye) 鏈上亟待攻克的關(guan) 鍵一環。

中國電科介紹說，旗下電科裝備，此前已連續突破中束流、大束流、特種應用及第三代半導體(ti) 等離子注入機產(chan) 品研發及產(chan) 業(ye) 化難題，產(chan) 品廣泛服務於(yu) 全球知名芯片製造企業(ye) 。