近日，度亙(gen) 激光技術(蘇州)有限公司正式宣布完成過億(yi) 元的B輪融資，本輪融資由啟高資本領投，數家機構跟投。

度亙(gen) 激光成立於(yu) 2017年，坐落在蘇州工業(ye) 園區納米城，擁有覆蓋化合物半導體(ti) 激光器芯片設計、外延生長、器件工藝、芯片封裝、測試表征、可靠性驗證、以及功能模塊等全套工程技術能力和量產(chan) 製造能力，專(zhuan) 注於(yu) 工業(ye) 加工、光通訊、感知探測、醫療美容和科學研究等產(chan) 業(ye) 領域所需的高性能、高功率、高可靠性光電芯片及器件的研發和製造，定位於(yu) 具有行業(ye) 技術地位的產(chan) 品研發中心和生產(chan) 製造商。

目前在高功率、高效率半導體(ti) 激光芯片研究方麵，歐美和日本處於(yu) 世界領先水平。主要企業(ye) 有Lumentum、II－VI、IPG、Coherent、TRUMPF、DILAS、nLight等企業(ye) 。由於(yu) 國外半導體(ti) 激光器研發起步早，產(chan) 業(ye) 化早，技術積累深厚，因此其產(chan) 品占據較大市場份額。國內(nei) 在相關(guan) 產(chan) 品研發上已基本達到了國際水平，但產(chan) 業(ye) 化發展明顯滯後，和國際相比仍然存在一定的差距，尤其是在工業(ye) 領域應用的可靠性穩定性、芯片壽命以及批量生產(chan) 等方麵，有待發展和提高。

度亙(gen) 激光團隊在高功率半導體(ti) 激光芯片有很深積累，並取得了突破性成果。目前，已建成從(cong) 芯片設計、外延生長、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等完整的工藝平台和量產(chan) 線，成功研發出高功率半導體(ti) 激光芯片，產(chan) 品性能達到國際先進水平，808nm10W、915/975nm22W等激光芯片已經完成可靠性驗證。芯片采用先進的外延結構設計，實現高功率、高效率輸出，同時芯片具有耐高溫特性，在50℃高溫的情況下仍保持高功率工作；808nm、9xxnm單管激光芯片、疊陣模塊、光纖耦合模塊等產(chan) 品已批量銷售，產(chan) 品各項指標達到國際先進水平，實現了進口替代，為(wei) 我國激光產(chan) 業(ye) 的發展提供了源動力。