近日,中國電科2所激光剝離項目取得突破性進展,基於(yu) 工藝與(yu) 裝備的協同研發,實現了4英寸、6英寸碳化矽單晶片的激光剝離。

2所激光剝離設備有機結合激光精密加工和晶體(ti) 可控剝離,實現半導體(ti) 晶體(ti) 高可靠切片工藝,可將晶體(ti) 切割損耗降低60%以上,加工時間減少50%以上,並實現晶體(ti) 加工整線的高度自動化。
下一步,2所激光剝離項目將以“大尺寸化、快速生產(chan) 化、高良率化、全自動化、低能耗化”為(wei) 目標,迅速開展由碳化矽晶錠至合格襯底片的自動化設備貫線,為(wei) 解決(jue) 第三代半導體(ti) 關(guan) 鍵技術問題貢獻力量。
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