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深度解讀

從切割到封裝:激光技術如何重塑半導體製造格局?

fun88网页下载 來源:激光行業(ye) 閱讀2025-11-07 我要評論(0 )   

激光賦能半導體(ti) :從(cong) 製造到封裝,全方位貫穿的核心技術支柱當前半導體(ti) 市場正朝著“先進製程迭代+國產(chan) 替代提速”雙輪驅動的方向發展,激光技術憑借“高精度、非接觸、熱影...

激光賦能半導體(ti) :從(cong) 製造到封裝,全方位貫穿的核心技術支柱

 

當前半導體(ti) 市場正朝著“先進製程迭代+國產(chan) 替代提速”雙輪驅動的方向發展,激光技術憑借“高精度、非接觸、熱影響小”的核心優(you) 勢,已從(cong) 傳(chuan) 統加工環節滲透至芯片製造全流程,成為(wei) 突破工藝瓶頸、提升產(chan) 能良率的關(guan) 鍵支撐。其應用覆蓋前道晶圓製造、中道工藝處理、後道封裝測試等核心環節,技術路線與(yu) 市場需求持續升級。

 

一、核心應用場景:全流程滲透,精準破解工藝痛點

 

1. 前道製造:先進製程的“微米級精修工具”

 

隨著FinFET、GAA等先進晶體(ti) 管架構普及,激光技術成為(wei) 突破物理極限的核心手段:

 

- 激光退火(LA):在7nm及以下製程中,通過短時高能量激光精準調控芯片摻雜區域的結晶質量,降低電阻、提升器件性能,2024年相關(guan) 設備采購金額同比增長41.2%,成為(wei) 前道增長核心動力;

- 光刻輔助:深紫外(DUV)激光器配合光刻膠,實現精細電路圖形化,支撐12英寸晶圓先進製程量產(chan) ,目前在國內(nei) 半導體(ti) 激光器應用中占比達28.5%;

- 缺陷檢測與(yu) 修複:紫外激光可快速識別晶圓表麵微小缺陷,通過精準消融實現修複,大幅提升芯片良率,尤其適配第三代半導體(ti) 材料的高精度加工需求。

 

2. 中道與(yu) 先進封裝:高密度集成的“關(guan) 鍵推手”

 

Chiplet(芯粒)、2.5D/3D封裝技術的普及,推動激光技術向更精密的微細加工延伸:

 

- 激光鑽孔與(yu) 再布線(RDL):在封裝基板上實現微米級微孔加工和電路重構,支撐多芯片高密度集成,是Fan-Out、2.5D/3D封裝的核心工藝;

- 激光剝離(LLO):用於(yu) 柔性顯示、功率器件的襯底剝離,通過激光能量分離材料層,保障器件完整性,國內(nei) 企業(ye) 已實現該設備批量供貨;

- 激光焊接:精準連接芯片與(yu) 基板,兼顧可靠性與(yu) 小型化,適配消費電子、汽車半導體(ti) 的高穩定性需求。

 

3. 後道測試與(yu) 切割:規模化量產(chan) 的“效率保障”

 

- 晶圓切割:紫外激光隱形切割技術可實現無應力切割,減少邊緣損傷(shang) ,尤其適用於(yu) 碳化矽、氮化镓等第三代半導體(ti) 晶圓,應用比例持續提升;

- 激光打標:在芯片、封裝體(ti) 上實現高精度、永久性標識,用於(yu) 溯源管理,滿足半導體(ti) 行業(ye) 嚴(yan) 格的質量管控要求;

- 最終測試:激光檢測技術可快速驗證芯片電性能、散熱性能,提升測試效率,適配大規模量產(chan) 需求。

 

二、技術與(yu) 市場格局:紫外/超快激光成主流,國產(chan) 替代加速

 

1. 主流技術路線

 

- 紫外(UV)激光器:波長短、熱影響區小,占據半導體(ti) 激光器應用的61.2%,主導晶圓切割、打標等環節;

- 超快激光器(皮秒/飛秒):瞬時能量密度高,適配先進封裝、光刻輔助等高精度場景,國際龍頭主導高端市場,國產(chan) 企業(ye) 正加速突破;

- 高功率半導體(ti) 激光器件:通過結構優(you) 化降低光束發散角、提升輸出功率,支撐工業(ye) 級加工效率,目前商用器件快軸發散角已降至50°以下,壽命達10萬(wan) 小時以上。

 

2. 市場規模與(yu) 競爭(zheng) 格局

 

- 規模穩步增長:2024年中國半導體(ti) 領域用激光器市場規模達48.7億(yi) 元,同比增長12.3%,預計2025年將升至54.3億(yi) 元,增速高於(yu) 全球平均水平;

- 國際龍頭主導高端:德國通快(26.4%)、美國相幹(22.1%)等占據高功率、高穩定性激光係統市場,主導先進製程配套;

- 國產(chan) 替代提速:銳科激光、華日激光等企業(ye) 實現技術突破,納秒級紫外激光器大規模量產(chan) ,皮秒激光器進入中芯國際、長江存儲(chu) 等頭部企業(ye) 供應鏈,2024年國產(chan) 廠商在中低端領域國產(chan) 化率接近50%,高端領域有望於(yu) 2025年底提升至20%以上。

 

三、未來趨勢:政策+技術雙驅動,應用場景持續拓展

 

隨著“十四五”規劃對集成電路關(guan) 鍵裝備的扶持、大基金二期對上遊核心零部件的傾(qing) 斜,激光技術在半導體(ti) 領域的應用將進一步深化:一方麵,AI視覺與(yu) 激光工藝結合,將實現更高精度的過程控製;另一方麵,伴隨疊層電池、無銀化技術發展,激光摻雜、激光鈍化等新工藝將持續湧現。同時,第三代半導體(ti) 材料的普及和國產(chan) 激光設備性能的提升,將推動激光技術在半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 的滲透率持續攀升,成為(wei) 產(chan) 業(ye) 鏈自主可控的重要支撐。


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