上海工程技術大學材料科學與(yu) 工程學院在“Optics & Laser Technology”期刊上發表題為(wei) “The effects of laser power on the interfacial microstructure, plasma behaviors and joint properties of sapphire micro-welds by ultrafast laser direct joining”—“激光功率對超快激光直連藍寶石微焊接的界麵微觀結構、等離子體(ti) 行為(wei) 和接頭性能的影響”的文章。這篇文章通過超快激光微焊接,實現了無需任何填充材料的藍寶石直接連接。通過對界麵激光能量沉積的精確控製,成功製備出具有高剪切強度、優(you) 良不滲透性和良好光透性的藍寶石接頭。通過將實驗研究與(yu) 數值模擬結合,深入揭示了焊接過程中瞬態溫度場和等離子體(ti) 密度演化。模擬進一步闡明了潛在的物理機製,特別是等離子體(ti) 介導的能量沉積、各向異性熱傳(chuan) 遞以及相變驅動的界麵重構,並明確了它們(men) 對焊接形成和界麵結合的綜合影響。研究背景:藍寶石具有優(you) 異的光學、機械和化學穩定性,廣泛應用於(yu) 消費電子、半導體(ti) 、航空航天等領域。然而,單晶生長尺寸受限,限製了其在大尺寸構件中的應用。傳(chuan) 統的藍寶石連接方法(如擴散焊接、超聲釺焊、釺焊)通常需要引入中間層或填充材料,存在接頭耐溫性差,接頭強度和可靠性不足等問題。超快激光具有極高峰值功率和超短脈衝(chong) 寬度,能實現透明材料的直接連接,避免熱裂紋、界麵空隙等缺陷。已有研究應用於(yu) 玻璃、玻璃-金屬、陶瓷-金屬體(ti) 係,但對單晶藍寶石的直接焊接仍缺乏係統理解,尤其是非平衡相變機製,等離子體(ti) 行為(wei) 與(yu) 能量耦合和晶體(ti) 取向重構對性能的影響。1:實現無填充材料的藍寶石直接連接
通過超快激光微焊接,在不使用任何中間層或釺料的情況下,成功製備出高剪切強度(最大 90.3 MPa)、高密封性和高透光率的藍寶石接頭。2:係統揭示激光功率對界麵微觀結構與(yu) 性能的影響規律
明確了低功率(8.8–14.0 W)導致微孔洞和鬆散結構,中功率(19.0 W)形成致密界麵,高功率(21.5 W)引發微裂紋的性能拐點,建立了“功率-結構-性能”關(guan) 聯。3:發現並解析藍寶石焊接中的非平衡相變與(yu) 織構重構,檢測到 α-Al₂O₃ → γ-Al₂O₃ 的相變;焊接區主導織構由 <001> 轉變為(wei) <100>;4:結合數值模擬闡明等離子體(ti) 介導的能量耦合機製
建立了瞬態溫度場和等離子體(ti) 密度演化模型,揭示了:等離子體(ti) 密度與(yu) 激光功率呈非線性關(guan) 係圖1 (a) 藍寶石超快激光微焊接設備示意圖;(b) 藍寶石樣品的組裝;(c) 紅色墨水不滲透測試圖2 (a-d) 在不同激光功率下藍寶石接頭的宏觀形貌:(a) 8.8 W;(b) 14.0 W;(c) 19.0 W;(d) 21.5 W;(a1-d1) 分別是 (a-d) 的光學顯微鏡圖像圖3 (a-d) 不同激光功率下藍寶石微焊點界麵區域的典型顯微結構:(a) 8.8 W;(b) 14.0 W;(c) 19.0 W;(d) 21.5 W。(a1-d1) 分別是 (a-d) 中方框區域的放大圖。黃色實線箭頭表示微焊點界麵的位置。白色虛線表示微焊點焊接區的範圍圖4. 焊縫橫截麵的EBSD分析:(a)焊縫橫截麵的相圖。(b)母材和焊縫的倒極圖(IPF)圖圖5(a) 不同激光功率下的超快激光微焊接剪切強度。(b) 藍寶石/藍寶石超快激光微焊接接頭強度與(yu) 其他幾篇代表性報告的比較 圖6. (a-c) 斷裂藍寶石接頭的斷口學圖像。(b1) b 區域的放大圖圖8. 不同激光功率對溫度分布的影響:(a-d) XZ 截麵溫度場分布。(e) 等離子區寬度與(yu) 激光功率的關(guan) 係。(f) 表麵溫度分布。(g) 吸收率與(yu) 激光功率的關(guan) 係主要結論:(1) 在激光功率為(wei) 8.8–19.0 W 時可以獲得良好的接頭,而功率過高(21.5 W)會(hui) 引起微裂紋。在焊接區內(nei) 發生了非平衡的 α→γ 相變。(2) 剪切強度隨著激光功率的增加先升高後降低,在 19.0 W 時達到最大值 90.3 MPa,顯著高於(yu) 傳(chuan) 統釺焊接頭。(3) 在最佳加工條件下(8.8–19.0 W),接頭表現出優(you) 異的密封性和高光學透過率,而高功率容易因為(wei) 裂紋形成而導致密封性能下降。(4) 藍寶石超快微焊接接頭的界麵形貌與(yu) 等離子體(ti) 的密度和寬度密切相關(guan) 。適當的等離子體(ti) 能得到無缺陷、微結構致密的接頭;否則容易產(chan) 生微空洞和微裂紋,從(cong) 而削弱接頭性能。原文鏈接:https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2026.115651